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IPD70R1K4CEのIPS70R1K4CE FET 700V CoolMOSのセリウム力トランジスターMOSの管
特徴
•まさに低いFOM Rdson*QgおよびEossによる極端に低い損失
•非常に高い代わりの険しさ
•使いやすい/ドライブ
•Pbなしのめっき、ハロゲン自由な型の混合物
•標準等級の塗布のために修飾される
適用
アダプター、LCD及びPDP TVおよび屋内照明
変数 | 価値 | 単位 |
最高VDS @ Tj | 750 | V |
最高RDS () | 1400 | mΩ |
Qg.typ | 10.5 | NC |
Id.typ | 5.4 | |
IDの脈拍 | 8.3 | |
Eoss@400V | 1.15 | μJ |
タイプ/オーダー コード | パッケージ | 印 | 関連リンク |
IPD70R1K4CE | PG-TO 252 | 70S1K4CE | 付録Aを見なさい |
IPS70R1K4CE | PG-TO 251 |
Q:私は何を壊れたプロダクト形態A-TEAMのヒューズ株式会社を得たらしてもいいか。
:まずできるだけ早く私達に言いなさい.youが私達がそれの支払うキャリッジ充満を心配する必要がない私達に壊れたプロダクトを送りなさい私達があなたに新しいものをすぐに送ったが、後。
Q;私達は輸入業者または製造業者であるか。
;私達は製造業者である
Q:私達をなぜ選ばなければならないか
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私に言いなさい:
どんな製品仕様書を必要とするか。引用語句を頼む時。私はあなたの条件としてごとの競争価格を与える。そして私達に選ぶべきあなたのための多くのタイプがある。
P.S.:あなたの条件を満たすとプロダクトが見つけることができなければ。私達があなたに私達に私達の専門及び最もよいサービスを提供してもいいように私達に詳細図を送るために歓迎しなさい。