サファイア・ウェーファー C-Plane to A 1°off 99.999% Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" 厚さをカスタマイズ
産地:中国
オリエンテーション:C 飛行機 (0001) から A ((11-20) 1°オフ
Matarial:99.999% サファイア・クリスタル
TTV:<15um>
身をかがめる:<50um>
磨いたもの:dspかssp
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 13 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
サファイア・ウェーファー C-平面からA 1°オフ 99.999%Al2O₃"直径"2"/3"/4"/6"/8" カスタム厚さ
これは高精度なサファイア・ウェーファー特徴C平面からA軸 1°オフカット方向そして99純度999% (5N)高度な光電子および半導体アプリケーションで優れた表頭軸成長のために最適化されています.標準直径 (2"から8")カスタマイズ可能な厚さで,特殊な結晶学的均一性,極低の欠陥密度,優れた熱性/化学的安定性を提供します.制御された1°オフカット角は,ステップ・バンチングの欠陥を減らすことで,GaNとAlNのエピタキシを向上させる高性能LED,レーザーダイオード,電源電子機器,RFデバイスに最適です
サファイア ウェッファー の 主要 な 特徴
正確なオフカットオーリエンテーション
C平面からA軸1° ±0.1°オフカット表面膜の均一性を改善し,GaNベースのデバイスの欠陥を最小限に抑えるために設計された.
超高純度 (5N Al)2O(3) について
99純度999%微量不純物 (Fe,Ti,Si) <5ppmで,最適な電気および光学性能を保証する.
直径: 2", 3", 4", 6", 8" (±0.1mmの許容度)
厚さ: 100μmから1,500μm (±5μmの許容度),特定の用途に合わせた.
エピリアン用ポリス: Ra <0.5 nm (前面) 欠陥のない薄膜堆積のために.
熱安定性: 溶融点 ~2,050°C,高温処理 (MOCVD,MBE) に適しています.
光学透明性: >85%の伝播率 (UVから中IR: 250nm~5,000nm)
機械的な強度: 9 モース硬さ,化学的エッチングと磨損に耐える.
サファイア ウェッファー の 応用
光電子機器
GaNベースのLED/レーザーダイオード:ブルー/UVLED,マイクロLED,VCSEL
高功率レーザー窓: CO2とエクシマーレーザー部品
パワー&RF電子機器
HEMT (高電子移動トランジスタ): 5G/6G パワーアンプとレーダーシステム
ショットキーダイオードとMOSFET: 電動自動車の高電圧装置
産業・防衛
IR窓とミサイルドーム: 厳しい環境では透明性が高い.
サファイアセンサー: 産業監視用の耐腐食カバー
量子技術と研究技術
超伝導クビットの基板(量子コンピューティング)
SPDC (自発的パラメトリックダウン変換) クリスタル量子光学についてです
半導体とMEMS
SOI (シリコン・オン・イソレーター) ウェーフ先進ICの場合は
MEMS圧力センサー化学的慣性が必要になる
仕様
パラメータ | 価値 |
|---|---|
| 直径 | 2",3",4",6",8" (±0.1mm) |
| 厚さ | オーダーメイド (100~1,500 μm ±5 μm) |
| オリエンテーション | C平面からA 1° ±0.1° |
| 純度 | 99.999% (5N Al2O3) |
| 表面の荒さ (Ra) | <0.5 nm (エピ準備) |
| 変位密度 | <500cm−2 |
| TTV (総厚さの変化) | < 10 μm |
| ボーク/ワップ | <15 μm |
| 光学透明性 | 250~5000 nm (>85%) |
Q&A
Q1: 切断角が違うか (例えば0.5°か2°)
A2 について そうだカスタムオフカット角度 (0.2°~5°) は, ±0.1°の許容度で利用可能である.
Q2: 可能な最大厚さは?
A6 答え:合計1500 μm (1.5 mm)高ストレスのアプリケーションにおける機械的安定性
Q3: 汚染を防ぐために,ワッフルはどのように保管されるべきですか?
A10:保存するクリーンルーム対応のカセットまたは窒素キャビネット (20~25°C,湿度 <40%).
サファイア・ウェーファー C-Plane to A 1°off 99.999% Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" 厚さをカスタマイズ
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