ウェッファー処理用の SiC セラミックボートキャリア
産地:中国
材料:シックセラミック
サイズ:カスタマイズ
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 13 時間
製品詳細
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ウェッファー処理用の SiC セラミックボートキャリア
カスタマイズされたシリコンカービッド (SiC)
セラミックボートキャリアは,半導体,太陽光発電,LED製造プロセスのために設計された高性能のウェーファー処理ソリューションです.高温安定性のために設計された化学耐性,超低汚染度により,このキャリアは,CVD,拡散炉,酸化室などの要求の高い環境で安全で効率的なウェーファー輸送を保証します.
SiC セラミック ボートの主要な利点
高熱安定性 変形なく1,600°Cまで耐える
化学的惰性 酸,塩基,プラズマの侵食に耐性があり,長期にわたって耐久性があります.
低粒子の生成 EUVおよび高度なノード製造における汚染を最小限に抑える.
カスタマイズ可能な設計 ウェーファーサイズ,スロットピッチ,および処理要件に合わせて設計
半導体工場,MEMS生産,複合半導体加工に最適
仕様
| シリコンカービッド含有量 | - | % | >995 |
| 穀物 の 平均 サイズ | - | マイクロン | 4から10 |
| 散布密度 | - | kg/dm^3 | >3.14 |
| 表面的な毛孔性 | - | 総量 % | <0.5 |
| ヴィッカース硬さ | HV0 について5 | kg/mm^2 | 2800 |
| 破裂モジュール (3ポイント) | 20°C | MPa | 450 |
| 圧縮強度 | 20°C | MPa | 3900 |
| 弾力度モジュール | 20°C | GPa | 420 |
| 骨折強度 | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
| 熱伝導性 | 20°C | W (((m*K) | 160 |
| 電気抵抗性 | 20°C | オーム.cm | 10^6から10^8 |
| 熱膨張係数 | a は (RT"800°C) | K^-1*10^-6 | 4.3 |
| マックス 適用温度 | オキシド大気 | °C | 1600 |
| マックス 適用温度 | 惰性 大気 | °C | 1950 |
SiC セラミックボートの用途
1半導体製造
✔ 拡散 焼却 炉
- 高温安定性 変形なく1,600°C (酸化) /1,950°C (惰性) に耐える
- 低熱膨張 (4.3×10−6/K) 急速な熱処理 (RTP) でウエファーの歪みを防ぐ.
✔ 心臓病 と エピタキシー (SiC/GaN の 増加)
- ガス腐食耐性 SiH4,NH3,HCl,その他の攻撃的な前駆物に対して惰性
- 粒子のない表面 欠陥のない上軸堆積のために磨かれた (Ra <0.2μm).
✔ イオン 植入
- 放射性硬化 高いエネルギーのイオン爆撃で分解しない
2パワーエレクトロニクス (SiC/GaNデバイス)
✔ SiC ウェーファー 加工
- CTEマッチング (4.3×10−6/K) 1,500°C+の上位軸成長でストレスを最小限に抑える
- 高熱伝導性 (160 W/m·K) ワッフルの均一な加熱を保証する.
✔ GaN-on-SiC 装置
- 汚染しない 金属離子放出がない
3太陽電池の生産
✔ PERC & TOPCon 太陽電池
- POCl3 拡散耐性 fosfor ドーピング環境に耐える
- 長い使用寿命 石英ボートでは5〜10年,石英ボートでは1〜2年
✔ 薄膜太陽光 (CIGS/CdTe)
- 耐腐食性 H2Se,CdS 堆積プロセスで安定している.
4LEDと光電子
✔ ミニ/マイクロLED エピタキシ
- 精密スロットデザイン 断片の切断なしに脆弱な 2""6"のウエフを保持します
- クリーンルームに対応します 標準のSEMI F57粒子に対応します
5研究と特殊用途
✔ 高速 素材 合成
- シンテリングアイド (B4C,AlNなど) 化学的に不活性で,2000°C以上の環境で
- 結晶成長 (例えば,Al2O3,ZnSe) 溶けた材料に反応しない.
よくある質問
Q1 についてサポートされているウエファーサイズは?
標準: 150mm (6′′), 200mm (8′′), 300mm (12′′). 要求に応じてカスタマイズできます.
Q2: カスタマイズされたデザインのリードタイムは何ですか?
- 標準モデル: 4〜6週間
- 完全カスタマイズ: 8〜12週間 (複雑さによって)
ウェッファー処理用の SiC セラミックボートキャリア
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