マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料
モデル番号:マイクロジェットレーザー技術機器
産地:中国
最低注文量:1
支払条件:T/T
配達時間:5〜10ヶ月
カウンタートップの容量::300*300*150
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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m の抽象イクロジェットレーザー技術機器
マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料
マイクロジェットレーザーシステムは,高エネルギーパルスレーザーをマイクロスケール液体ジェット (通常は離子化水または惰性液体) に結合することによって,半導体材料の超精密加工を可能にします.液体ジェットの導気と冷却効果を用いて.
高精度で 損傷が少なく 清潔さも高い マイクロジェットレーザー技術が 半導体分野での従来の加工とドライレーザープロセスを 置き換えています特に第三世代の半導体 (SiC/GaN) で3Dパッケージングと超薄質のウエファー加工
マイクロジェットレーザー加工
テクニカル仕様
| カウンタートップの容量 | 300*300*150 | 400*400*200 |
| 線形軸 XY | 線形モーター | 線形モーター |
| 線形軸 Z | 150 | 200 |
| 定位精度 μm | +/−5 | +/−5 |
| 繰り返し位置付け精度 μm | +/-2 | +/-2 |
| 加速 G | 1 | 0.29 |
| 数値制御 | 3軸 /3+1軸 /3+2軸 | 3軸 /3+1軸 /3+2軸 |
| 数値制御型 | DPSS Nd:YAG | DPSS Nd:YAG |
| 波長 nm | 532/1064 | 532/1064 |
| 定位電源 W | 50/100/200 | 50/100/200 |
| 水噴流 | 40〜100 | 40〜100 |
| ノズルの圧力バー | 50〜100 | 50から600 |
| 寸法 (機械) (幅 * 長さ * 高さ) mm | 1445*1944*2260 | 1700*1500*2120 |
| サイズ (コントロールキャビネット) (W * L * H) | 700*2500*1600 | 700*2500*1600 |
| 重量 (機器) T | 2.5 | 3 |
| 体重 (コントロールキャビネット) kg | 800 | 800 |
処理能力 | 表面荒さ Ra≤1.6um 開口速度 ≥1.25mm/s 円周切断 ≥6mm/s 線形切断速度 ≥50mm/s | 表面荒さ Ra≤1.2um 開口速度 ≥1.25mm/s 円周切断 ≥6mm/s 線形切断速度 ≥50mm/s |
ガリウムナイトリッド結晶,超幅帯のギャップ半導体材料 (ダイヤモンド/ガリウム酸化物),航空宇宙の特殊材料,LTCC炭素セラミック基板,光伏,スキンチラター結晶および他の材料の加工. 注:加工容量は材料の特性によって異なります.
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マイクロジェットレーザー装置 技術的利点
1加工材料や加工機器の少量損失
2. 磨きリンクを大幅に削減
3. 自動処理の労働コストが低い
4高品質の加工壁と切断エッジ
5環境汚染なく清潔な加工
6高処理効率
7高い加工生産性
微流体レーザーによるシリコン・ウェーバーの書き込み
試し,デバッグ処理パラメータと切断効果は,下図に示されています. 40μmノズルの切断幅は35umです.切断が完了した後,ワッフルは完全に傷ついた切断テープ (UVフィルム) の背面は基本的には無傷で,傷つきません. 交差点の縁に亀裂や亀裂はありません.これは加工要件を満たしています.
Q&A
1Q: マイクロジェットレーザー技術機器の主な利点は?
A:
マイクロジェットレーザー技術機器の利点は,高精度加工,良い冷却効果,熱に影響を受けるゾーンがないこと,並列切断刃,効率的な加工性能,硬くて脆い材料の精密加工に適している.
2Q:マイクロジェットレーザー技術機器はどの分野で使用されていますか?
A:
マイクロジェットレーザー技術機器は,第3世代の半導体,航空宇宙材料,ダイヤモンド切削,金属化ダイヤモンド,セラミック基板などの分野で広く使用されています.
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マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料
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