半導体ウエファー加工のための微流体レーザー装置
モデル番号:マイクロ流体レーザー装置
産地:中国
最低注文量:1
支払条件:T/T
配達時間:5〜10ヶ月
目的::マイクロ流体レーザー装置
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細
会社概要
製品詳細
m の抽象イクロジェットレーザー技術機器
半導体ウエファー加工のための微流体レーザー装置
マイクロジェットレーザー技術は 複合材料の加工技術で 複合材料の加工技術として 広く使用されていますレーザーを機械加工部品の表面に正確に導いて,従来の光ファイバーに似た方法で,全体的な内部反射を通す.水流は切断領域を継続的に冷却し,処理によって生成された粉末を効果的に除去します.
冷たい,清潔で制御されたレーザー処理技術として,マイクロジェットレーザー技術は,熱損傷,汚染,変形微細な裂け目と角型化
マイクロジェットレーザー加工の基本説明
1レーザータイプ
ダイオードポンプ付き固体状態 Nd:YAGレーザー.パルス幅は us/ns で,波長は 1064 nm, 532 nm,または 355
nm.平均レーザー電力の範囲は 10-200 W.
2水噴射システム
低圧の純粋離子化過濾水.超細水噴出機の水消費量は300バーの圧力で1リットル/時間のみである.結果の力は無視可能である
(<0.1N).
3スプート
30~150mmのノズルの大きさで 材料はサファイアかダイヤモンド
4補助システム
高圧ポンプと水処理システム
テクニカル仕様
| カウンタートップの容量 | 300*300*150 | 400*400*200 |
| 線形軸 XY | 線形モーター | 線形モーター |
| 線形軸 Z | 150 | 200 |
| 定位精度 μm | +/−5 | +/−5 |
| 繰り返し位置付け精度 μm | +/-2 | +/-2 |
| 加速 G | 1 | 0.29 |
| 数値制御 | 3軸 /3+1軸 /3+2軸 | 3軸 /3+1軸 /3+2軸 |
| 数値制御型 | DPSS Nd:YAG | DPSS Nd:YAG |
| 波長 nm | 532/1064 | 532/1064 |
| 定位電源 W | 50/100/200 | 50/100/200 |
| 水噴流 | 40〜100 | 40〜100 |
| ノズルの圧力バー | 50〜100 | 50から600 |
| 寸法 (機械) (幅 * 長さ * 高さ) mm | 1445*1944*2260 | 1700*1500*2120 |
| サイズ (コントロールキャビネット) (W * L * H) | 700*2500*1600 | 700*2500*1600 |
| 重量 (機器) T | 2.5 | 3 |
| 体重 (コントロールキャビネット) kg | 800 | 800 |
処理能力 | 表面荒さ Ra≤1.6um 開口速度 ≥1.25mm/s 円周切断 ≥6mm/s 線形切断速度 ≥50mm/s | 表面荒さ Ra≤1.2um 開口速度 ≥1.25mm/s 円周切断 ≥6mm/s 線形切断速度 ≥50mm/s |
ガリウムナイトリッド結晶,超幅帯のギャップ半導体材料 (ダイヤモンド/ガリウム酸化物),航空宇宙の特殊材料,LTCC炭素セラミック基板,光伏,スキンチラター結晶および他の材料の加工. 注:加工容量は材料の特性によって異なります.
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マイクロジェットレーザー技術機器の適用
1. ウェーファー切断 (切断)
材料:シリコン (Si),シリコンカービッド (SiC),ガリウムナイトリッド (GaN) その他の硬くて脆い材料のウエファー切削
適用:伝統的なダイヤモンド刃の置き換え,縁の破損を減らす (縁の破損 <5μm,刃の切削は通常>20μm).
切断速度が30%増加 (例えば,SiCウエファー切断速度が100mm/sまで)
ステルス・ダイシング:ウエファー内部のレーザー修正,液体ジェット支援分離,超薄型ウエファー (<50μm) に適しています.
2切片掘削とマイクロホール加工
適用: 3D IC のためのシリコン (TSV) 掘削を通じて. IGBT などの電源装置のための熱マイクロホール配列加工.
技術パラメータ:
アパルトゥールの範囲: 10μm~200μm,深さと幅の比は10まで:1.
毛孔壁粗さ (Ra) <0.5μmは,直接レーザー脱毛 (Ra>2μm) よりも優れている.
3先進的なパッケージング
適用: RDL (リウィーリングレイヤ) 窓を開け:レーザー + ジェット 消化層を除去し,パッドを露出します.
ワッフルレベルパッケージ (WLP): ファンアウトパッケージのためのエポキシ型塑料 (EMC)
利点:機械的ストレスによるチップ歪みを回避し,生産量を99.5%以上まで増加します.
4複合半導体加工
材料:GaN,SiC,その他のブロードバンドギャップ半導体
適用:HEMT装置のゲートノッチエッチング:液体ジェットは,GaN熱分解を避けるためにレーザーエネルギーを制御します.
レーザーアニール: 離子植入ゾーンを活性化するためにマイクロジェットローカルヒート (SiC MOSFET ソースなど).
5欠陥の修復と微調整
適用:メモリ (DRAM/NAND) の冗長回路のレーザー融合.
ToFのような光センサーのためのマイクロレンズ配列の調整
精度: エネルギー制御精度 ±1%,修理位置誤差 <0.1μm
処理ケース
Q&A
1Q:マイクロジェットレーザー技術は何に使われますか?
A: マイクロジェットレーザー技術は,高精度で低熱損傷の切削,掘削,半導体 (例えば,SiCウェーファー,TSV掘削)
と先進包装の構造化に使用されます.
2Q: マイクロジェットレーザーは 半導体製造をどのように改善するのでしょうか?
A: 熱損傷がほぼゼロで 微小微小の精度を実現し 機械の刃を入れ替えて GaN や SiC などの壊れやすい材料の欠陥を軽減します
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半導体ウエファー加工のための微流体レーザー装置
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