シック 原材料合成炉 高純度シック結晶の耐性50kgの準備
尺寸 (L × W × H)::4000 x 3400 x 4300 mm またはカスタマイズ
最大炉温度は::2400℃
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 13 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
ZMSH の要約SiC原料合成炉
シック 原材料合成炉 高純度シック結晶の耐性50kgの準備
シリコンカービッド原材料合成炉は,高純度シリコンカービッド (SiC) 原材料の準備のために特に使用される機器の一種である.重要な半導体および陶器材料として,シリコンカービードは電源電子機器に広く使用されています高温装置,耐磨材料,光学装置合成炉は,高温化学反応によって,シリコン (Si) と炭素 (C) の原材料をシリコンカービードに変換するシリコンカービッド産業の重要な機器です.
特徴SiC原料合成炉
- 高温容量: シリコンカービッド合成のニーズを満たすために1,600°C以上の高温環境を提供できます.
- 高純度合成:高純度原材料と惰性大気制御により,高純度シリコンカービッドが合成されます.
- 高い安定性: 装置の構造は安定しており,長期間の連続作業に適しています.
- 低汚染:高純度材料と惰性大気を使用することで,合成原材料に対する不純物の影響を軽減します.
テクニカル仕様
| 仕様 | 詳細 |
|---|---|
| サイズ (L × W × H) | 4000 × 3400 × 4300 mmまたはカスタマイズ |
| 炉室直径 | 1100mm |
| 負荷能力 | 50kg |
| 限界真空度 | 10-2Pa (分子ポンプの起動後2時間) |
| 室圧上昇率 | ≤10Pa/h (火焼後) |
| 下の炉蓋の持ち上げ筋 | 1500mm |
| 加熱方法 | インダクション加熱 |
| 炉内の最大温度 | 2400°C |
| 熱電源 | 2×40kW |
| 温度測定 | 2色赤外線温度測定 |
| 温度範囲 | 900~3000°C |
| 温度制御の精度 | ±1°C |
| 制御圧力範囲 | 1~700mbar |
| 圧力制御の精度 | 1~5mbar±0.1mbar; 5~100mbar±0.2mbar; 100~700mbar±0.5mbar |
| 積載方法 | 負荷が低く |
| 選択可能な設定 | 二重温度測定点 卸載フォークリフト |
設計上の利点
11つの機器を複数の長い結晶炉に達成し,生産効率を向上させる.
2. 同じ周波数で1〜2つの電源を使用して,アクシアル温度梯子を効果的に制御できます.
3. 上と下は,温度フィールドモニタリングとプロセスデバッグに便利な赤外線温度測定装置を装備することができます.
4高真空,高圧制御精度,高温制御精度,高純度シリコンカービッド原材料の合成を満たすために:
5. 安全で信頼性の高いロードと卸荷モードを採用し,卸荷フォークリフトで設定することができます.
6高精度バタフライバルと質量流量計を使用して,炉内の圧力を制御し,安定したプロセス大気を確保します.
7設備は並んで配置でき,スペースを節約し,工場利用率を向上します.
SiC原料合成炉の効果
シリコンカービッド原材料合成炉を使用することで,高純度シリコンカービッド原材料を効率的に準備することができ,純度が99.999%以上,材料に対する半導体産業の厳しい要求を満たすため合成シリコンカービッド原材料は,高品質の単結晶を栽培し,高電圧の電源装置 (MOSFETや二極管など) を製造するために使用されます.低損失と高周波の特徴電気自動車,太陽光インバーター,その他のアプリケーションの性能を大幅に向上させる.合成されたシリコンカービッド粉末は,高性能セラミックや光学装置にも使用できます.応用範囲をさらに拡大する.
ZMSHサービス
ZMSHは,シリコンカービッド原材料合成炉の設計と製造から,機器のカスタマイズを含む販売後のサポートまで,完全なプロセスサービスを提供します.プロセス最適化と技術訓練先進技術と豊富な業界経験により 設備の高効率,安定性,低エネルギー消費を保証します高品質のシリコンカービッド原材料の大規模生産を達成するために迅速な対応と全天候技術支援を提供しながら.
Q&A
1Q: シリコンカービード 原材料合成炉は何のために使用されますか?
A: 高温反応によって高純度シリコンカービッド (SiC)
原材料を製造するために使用されます.これは半導体,陶器,光学装置の製造に不可欠です.
2Q: 半導体生産にはなぜシリコンカービッド合成炉が重要なのでしょうか?
A: 超純粋なSiC原料の生産が可能で,高品質のSiC結晶を生産するために不可欠です.
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シック 原材料合成炉 高純度シック結晶の耐性50kgの準備
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