2インチ 3インチ 4インチ ゲルマニアム基板 半導体ウェーファー カスタム CZ <100><110><111>
モデル番号:ゲルミウム基板
産地:中国
支払条件:T/T
配達時間:2〜4週間
材料::GEの単結晶
直径::0.5~150mm
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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2インチ 3インチ 4インチ ゲルマニアム基板 半導体ウェーファー カスタム CZ <100><110><111>
ゲルマニウムは半導体性能が良い.高純度ゲルマニウムは,P型ゲルマニウムの半導体を得るために,三価元素 (例えばインディウム,ガリウム,ボロン) とドーピングされる.半価元素 (e)N型ゲルマニウム半導体を得るためにドーピングされる.彼らは高い電子移動性と高い穴移動性を持っています.高品質のゲルマニウム基板は,濃縮光伏 (CPV) に使用できる宇宙の太陽光パネルや 高明度のLEDの用途
特徴
- 格子定数は,シリコンよりも大きいので,異質構造の構築に便利です.
- 高速電子装置の製造に有利である. 電子の移動性は,シリコンの約3倍である.
低帯域幅 (0.67 eV) のため,赤外線光電検出および放出アプリケーションに適しています.
放射線に敏感で,放射線に敏感な電子機器に適しています.
処理技術は比較的複雑でコストも高い.
テクニカルパラメータ
申請
1高周波アナログおよびRF電子:マイクロ波ダイオード,トランジスタ,集成回路;マイクロ波周波数帯の電子機器,例えばレーダーおよび通信.
2赤外線光電検出と放出:赤外線検出器,熱画像機;赤外線放出ダイオード,レーザーダイオード.
3放射線に敏感な電子機器:複合半導体ヘテロ構造:航空宇宙航空システム;原子力発電所と軍事用電子機器.
4化合物半導体異質構造:GaAs,InPなどIII-V化合物の基板材料;異質構造太陽電池,レーザーダイオードなど.
私たちのサービス
1工場の直接製造と販売
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4オーダーメイドデザインは可能です.
5速さと貴重な配達
よくある質問
1.Q: どうやって支払いますか?
A:100%T/T,Paypal,ウェストユニオン,マネーグラム,安全な支払いと取引
アリババの保証など
2.Q: 私は私の必要に応じて製品をカスタマイズできますか?
A: はい,我々は,あなたの光学部品のための材料,仕様をカスタマイズすることができます
あなたのニーズに基づいて
3.Q: MOQは何ですか?
A: (1) 備品については,MOQは3pcsです.
(2) カスタマイズされた製品では,MOQは25pcsです.
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