N-GaAs 基板 VCSEL エピワファー 6 インチガリウムアルセニードワファー 2 インチ <100> <110> 光電子機器用

材料:ガリウムアルセニード

サイズ:2インチ

厚さ:430um

オリエンテーション:<111> <110>

タイプ:nのタイプ

洞窟モード均一性:≤ 1%

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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製品詳細会社概要

製品詳細

2インチN・ガリウムアルセニード基板,N・GaAs VCSEL エピタキシアル・ウェーバー,半導体エピタキシアル・ウェーバー,2インチN・GaAs ベース,GaAs シングルクリスタルウェーバー 2インチ3インチ4インチN・GaAs ベース,半導体ウエファーN-ガリウムアルセニードレーザーエピタキシアル・ウェーファー

N-GaAs基板の特徴

- 製造にGAA基質を使用する

- デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします

レーザーで使われていますレーザーで使われています

- 0.7μmから0.9μmの波長範囲で,量子井戸構造

- MOCVD や MBE,エッチング,金属化,包装などの技術を使用して,最終的な形状を達成します

記述N-GaAs基板
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key optoelectronic material widely used in the fields of lasers and optical communications.
N-GaAs基板はガリウム (Ga) とアセンニウム (As) で構成され,自由電子の濃度を高めるためにn型ドーピング技術を使用します.導電性と電子移動性を向上させる.
この材料は,レーザー放射に適したエネルギー帯域幅が約1.42 eVで,光電子特性が優れている.

VCSELの構造には,通常,複数の量子井戸と反射層が含まれ,効率的なレーザー空洞を形成するためにN-GaAs基板に成長します.
量子井戸層はレーザーを刺激し放出する責任があり,反射器はレーザーの出力効率を向上させる.
N-GaAs基板の優れた熱安定性と電気特性により,VCSELの高性能と安定性が確保されており,高速データ送信でも良好な性能を保っている.

N-GaAs基板に基づくVCSELは,光ファイバー通信,レーザープリンター,センサーなどの分野で広く使用されています.
高効率で低電力消費で近代通信技術の重要な部品となっています
高速データ伝送の需要が増えるにつれて,N-GaAs基板に基づくVCSEL技術が徐々に光電子の発展の重要な方向に発展しています.様々なアプリケーションの進歩と革新を促進する.

N-GaAs基板の詳細

パラメータ	VCSEL
税率	25G/50G
波長	850nm
サイズ	4インチ/6インチ
穴位モード許容性	±3%以内
洞窟モード均一性	≤1%
ドーピングレベル	±30%以内
ドーピングレベル均一性	≤10%
PL 波長均一性	2nm @内側140mmより良い
厚さの均一性	±3% @内側140mm より良い
モル分数 × 許容量	±0 圏内03
モル分数 × 均一性	≤0.03