SiCインゴット 6インチインゴット 4H-N SiCプライムグレード ダミーグレード シリコンカービッドインゴット 高硬度インゴット
モデル番号:SiCインゴット
産地:中国
支払条件:T/T
納期:2〜4週間
材料:SiC単結晶
タイプ:4h-n
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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4H-N SiC インゴットについて
- デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします
- 六角結晶 (4H SiC) で,SiCモノ結晶から作られる
- 高硬度 モース硬度9まで2ダイヤモンドに次ぐ
- 高温環境に適した優れた熱伝導性
- 高周波,高電力電子機器に適した広い帯域特性が有する.
SiCインゴットの説明
SiCインゴット (シリコンカービッドインゴット) は,高性能電子機器と半導体産業で広く使用されている,シリコンカービッド材料で作られた高純度結晶である.
SiC・リンゴは,通常,物理蒸気輸送 (PVT) や化学蒸気堆積 (CVD) のような方法によって栽培され,熱伝導性が非常に高い.広い帯域間隔と優れた化学的安定性.
これらの特性により,SiC棒は高速スイッチ,高温,高電圧操作を必要とする電子機器の製造に特に適しています.
SiCの成長プロセスは複雑で,水晶の高品質と低欠陥率を確実にするために厳格に制御されています.
優れた熱力および電気特性により,SiC棒は,エネルギー節約,電気自動車,再生可能エネルギー,航空宇宙に幅広い応用可能性を秘めています.
さらに,SiC 円筒の硬さは非常に高く,ダイヤモンドに近いので,切断と加工の間には特殊な機器と技術が必要です.
全体的に,SiC棒は将来的に高性能電子機器材料の開発にとって重要な方向性を示しています.
SiCインゴットからSiC基板へ
バルトは,まず高温の溶融と冷却プロセスで育てられ,その後,切断と磨きなどのプロセスで基質に加工されます.
基材は半導体装置の製造における基本材料であり,様々な電子部品の製造に使用される.
したがって,シリコンカービッドのブロックは,シリコンカービッド基板の製造のための主要な原材料です.
SiCインゴットの詳細
| ポイント | 仕様 |
| 直径 | 150mm |
| SiCポリタイプ | 4H-N |
| SiC抵抗性 | ≥1E8 Ω·cm |
| SiC層の移転厚さ | ≥0.1 μm |
| 無効 | ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) |
| 前面の荒さ | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
| オリエンテーション | <111>/<100>/<110> |
| タイプ | P/N |
| フラット/ノッチ | フラット/ノッチ |
| エッジ・チップ・スクラッチ・クラック (視覚検査) | ない |
| TTV | ≤5 μm |
| 厚さ | 15mm |
シリウムCインゴットの他の写真
*ご注文の場合は,ご自由にご連絡ください.
私達について
私たちの企業,ZMSHは,半導体基板と光学結晶材料の研究,生産,加工,販売に特化した.
精密な加工機器と 試験機器を備えています標準化されていない製品を加工する非常に強力な能力を提供しています.
顧客のニーズに応じて様々な新しい製品を研究,開発,デザインすることができます.
同社は"顧客を中心に 品質を重視する"という原則を堅持し,光電子材料の分野でトップレベルのハイテク企業になるよう努めます.
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よくある質問
1Q: 基板と比較して,インゴットの適用はどうですか?
A: 基板と比較して,シリコンカービッドのブロックはより高い純度と機械的強度を持ち,極端な環境で使用するのに適しています.
インゴット は 優れた 機械 的 力 と 純度 を 持っ て いる の で,高 電力 や 高 周波 の 装置 に 使える よう に なる
2Q: シリコンカービッド・インゴットの市場見通しは?
電気自動車と再生可能エネルギー市場が 成長するにつれて シリコンカービッドの原料の需要は 増加し続けています
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