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モデル番号:InSb ウェーファー
産地:中国
最低注文量:25pcs
支払条件:T/T
配達時間:30日
パッケージの詳細:カスタマイズされた箱
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 13 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
3 脱毛インSbウエファー IR検出器 光二極子 熱画像センサー 85 GHz
記述:
1インディウムアンチモニードは赤外線スペクトルに属する直帯ギャップ半導体材料です.
2インディアムアンチモニード (InSb) は,インディアム (In) とアンチモニウム (Sb) 元素からなる化合物半導体材料である.
3インディウムアンチモニードは高速電子機器や低騒音増幅器でも高いキャリア移動性と低騒音特性を持っています.
4化学式はInSbである.インディウムアンチモニードは,特別な電子および光学特性を備えた重要な半導体材料である.
光電子や電子機器の分野で幅広い用途があります
5さらに,インディアムアンチモニードは,量子効果装置,例えば量子井戸構造や量子ドット装置にも使用できます.
量子制限効果や量子チューニング特性など 優れた量子特性があるからです
特徴:
1InSb検出器は迅速な応答時間を持ち,赤外線信号の変化をリアルタイムで捉えることができます.
2低ノイズ: InSb 材料は低ノイズレベルがあり,明確な赤外線画像と正確なスペクトル情報を提供できます.
3高感度: InSb 材料は中赤外線帯で高感度があり,赤外線を効果的に検出し変換することができます.
4低温操作: InSb検出器は通常,通常 77K (液体窒素温度) 以下の低温で動作する必要があります.
5InSb材料は赤外線線誘導の幅が広い.中赤外線帯 (通常は2-5ミクロン) と長波赤外線帯 (約10ミクロンまで)
の一部をカバーできる.
技術パラメータ:
| シングルクリスタル | インSb |
| 直径 | 2×3×(+/-0.3mm) |
| 厚さ | 500/600 ((+/-25um) |
| ドーパント | ない |
| 導管の種類 | N |
| キャリア濃度 ((cm-3) | 3E15 |
| 変位密度 (cm-2) | <2*102 |
| 格子定数 | 0.648nm |
| 分子重量 | 236.58 |
| 融合点 | 527°C |
| 密度 | 5.78g/cm3 |
| バンドギャップ | 0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
応用:
| 赤外線画像 | InSb結晶材料は赤外線画像で広く使用されています. |
| 高速電子装置 | 高速電子機器の製造に利用できるのは 高いキャリア・モビリティと低い電子品質のためです |
| スペクトロメーターと光学 | インスリンクリスタル材料は赤外線の製造に広く使用されています. 放射線検出器 |
| スペクトル分析 | InSb結晶材料は,赤外線帯における透明性と高い感度により赤外線スペクトル分析に使用することができる. |
| 量子井戸装置 | InSbチップの量子井戸構造を使用して,一連の量子井戸装置を製造することができます. |
| 放射線検出 | インスリンクリスタル材料は赤外線の製造に広く使用されています. 放射線検出器 |
| 熱電気材料 | InSbチップは,熱エネルギーを熱電発電や温度測定などの用途で電気に変換できる. |
その他の関連製品:
SIC ワッフル:
FAQ:
Q: 認証とは?Te-InSb?
A: 認証Te-InSbROHSです
Q: ブランド名は何ですか?Te-InSb?
A: ブランド名Te-InSbZMSH です
Q: 原産地は?Te-InSb?
A: 原産地Te-InSb中国です
Q: の MOQ は?Te-InSb が一度に?
A: MOQ はTe-InSb25個ずつです
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