カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素の基質の硬度装置のための9.4 Sicの部品
型式番号:定形カスタマイズされる
原産地:中国
最低順序量:10pcs
供給の能力:1000pcs
受渡し時間:15Days 内
包装の細部:単一のウエファーの容器のカセット
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 13 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
10×10mm 5×5mm カスタマイズされた四角シシ基板,1インチシシウフ,シシウフ・クリスタルチップ,シシウフ半導体基板,6H-N
SIC・ウーファー,高純度シリコン・カービッド・ウーファー
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半導体材料,特に SiC・ウェーバー,ポリタイプ4Hと6Hの SiC基質を 研究者や産業メーカーに
異なる品質グレードで提供しています我々はSiC結晶の成長工場と良い関係を維持しています製造ラインを設立し,シリウムシリウム基板とシリウムシリウムシリウムシリウムシリウムシリウムシリウムシリウムシリウム先進的・ハイテク材料研究と国家研究機関と中国の半導体研究所から投資された
プロの会社として現在,サブステートや大型のサブステートを開発しています.
応用分野
1 高周波および高電力電子装置 ショットキーダイオード,JFET,BJT,PiN
ディオード,IGBT,MOSFET
2 光電子装置: 主にGaN/SiCブルーLED基板材料 (GaN/SiC) のLEDで使用
利点
• 格子 の 不一致 が 低い• 高熱伝導性
• 低電力消費
• 絶好の短時間特性
• 高帯域間隔
シリコンカービッド (SiC) の パーツと基板を パーソナライズしました様々な産業や科学用途で使用されることが求められています特殊な機械的,熱的,化学的特性により,極端な条件下で耐久性と性能が重要な環境に最適です.
半導体製造: SiC基質は,MOSFET,シュトキー二極管,電源インバーターなどの高電力,高温半導体の生産に使用されています.SiC基板のカスタマイズされたサイズは,再生可能エネルギー (太陽光インバーター) などの産業における特定のデバイス要件に特に役立ちます.自動車 (電気自動車) と航空宇宙 (航空工学)
設備部品硬さと耐磨性により,機械や工業機器に用いられるパーツの製造に最適な材料です.シシコールは,シール,ベアリング,切削ツールなどの部品です.高ストレス環境に耐える耐久性や熱ショック耐性が不可欠です 耐久性や熱ショック耐久性は
光学と光学: SiCは,特に高温環境における高精度機器のための光学部品と鏡の製造にも使用されます.熱安定性 は 科学 機器 の 信頼 的 な 性能 を 保証 し て い ますレーザーや他の敏感なアプリケーション
要するに,カスタマイズされたSiC基板と部品は 卓越した硬さ,熱耐性,化学的惰性を提供しており,様々なハイテク産業で非常に価値があります.
シック基板の2インチサイズから
| 2インチ直径 シリコンカービッド (SiC) 基板仕様 | ||||||||||
| グレード | MPDグレードはゼロ | 生産級 | 研究級 | ダミーグレード | ||||||
| 直径 | 50.8mm±0.2mm | |||||||||
| 厚さ | 330μm±25μmまたは430±25umまたは1000μm±25um | |||||||||
| ウェファーの方向性 | 軸外: 4H-N/4H-SI の場合は <1120> ±0.5° 6H-N/6H-SI の場合は <0001> ±0.5° | |||||||||
| マイクロパイプ密度 | ≤0cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤100cm-2 | ||||||
| 耐性 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| 主要フラット | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| 主要平面長さ | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平面長さ | 10.0mm±2.0mm | |||||||||
| 二次的な平面方向性 | シリコンが上向き: プライムフラットから90°CW ±5.0° | |||||||||
| エッジ除外 | 1mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| 荒さ | ポーランド Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 高強度の光による裂け目 | ない | 1 は許容され, ≤2 mm | 累積長 ≤ 10mm,単一の長 ≤ 2mm | |||||||
| 高強度光によるヘックスプレート | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤3% | |||||||
| 高強度光による多型エリア | ない | 累積面積 ≤2% | 累積面積 ≤5% | |||||||
| 高強度の光による傷 | 3 傷 1 × ワッフル直径の累積長 | 円盤直径の累積長に 5 割れ | 円盤直径の累積長に 5 割れ | |||||||
| エッジチップ | ない | 容量 ≤0.5mm | 容量5個,それぞれ ≤1mm | |||||||
画像サイズ: 10x10x0.5mmt
容量:±0.03mm
マッチの深さ×幅:0.4mm×0.5mm
TYPE:4H半型
表面:磨き (sspまたはdsp)
ラ:0.5nm
よくある質問
1Q: パッケージは何ですか?安全ですか?
A: 私たちはパッケージとして自動吸附フィルムボックスを提供します.
2Q: 支払期間は何ですか?
A: 私たちの支払い期間はT/T 50%事前,50%配送前です.
3Q:サンプルはどうしたら得られますか?
A:Becauceカスタマイズされた形状の製品,我々はあなたがサンプルとして少量注文することができますことを希望します.
4.Q: その通りどれくらいでサンプルを手に入れるの?
A: 確認後10-25日以内にサンプルを送信します.
5Q:あなたの工場は品質管理についてどのようにしていますか?
A:品質は第一です 私たちのモットーです 労働者は常に質の制御に大きな重要性を付与します
始まりから終わりまで
カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素の基質の硬度装置のための9.4 Sicの部品
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