製品詳細
6inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質
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GaAsのウエファー
GaAsのウエファーGaAsの基質のウエファーGaASの基質のウエファーGaASは高周波、高い電子移動、高い電子性能、低い唾液音および線形長所の優秀な特性が付いている半導体材料である。それは光電子工学およびマイクロエレクトロニクス工業で広く利用されている。光電子工学工業では、GaASの基質のウエファーはLED
(発光管)、LD (教授の軽い庭)、光起電装置、等の製造に使用することができる。マイクロエレクトロニクスの企業の分野ではMESFET
(金属の半導体分野効果の革管)、HEMT (高い電子移動度のトランジスター)、HBT
(ヘテロ接合の両極トランジスター)、IC、マイクロウェーブ ダイオード、ホール装置、等を作るのに、それが使用することができる。
適用
マイクロウェーブ ダイオード、Gunnのダイオード、バラクター ダイオード、等。
マイクロウェーブ
トランジスター:電界効果トランジスタ(FET)、高い電子移動度のトランジスター(HEMT)、ヘテロ接合の両極トランジスター(HBT)、等。
集積回路:マイクロウェーブ単一集積回路(MMIC)、超高度の速度の集積回路(VHSIC)、等。
ホール素子
指定の細部
LEDの塗布のためのGaAs (ガリウム砒素) |
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
成長方法 | VGF | |
添加物 | ケイ素 | |
ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
水晶オリエンテーション | (100) 2°/6°/15°を離れた(110) | 利用できる他のmisorientation |
の | EJか米国 | |
キャリア集中 | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
RTの抵抗 | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
移動性 | 1500~3000のcm2/V.sec | |
腐食ピット密度 | <500> | |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/EまたはP/P | |
厚さ | 220~350um | |
準備ができたエピタクシー | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
プロダクト表示
私達のZMKJについて
ZMKJは中国最もよい市である、私達の工場は創設される上海市に置き、
2014.Weのウーシー都市ではウエファー、基質にいろいろな材料を処理することを専門にしなさい
そして電子工学、光学で広く利用された光学ガラスparts.componentsをcustiomized
光電子工学および他の多くの分野。私達はまたずっと多くの国内を密接に使用している
そして海外大学、研究所および会社は、カスタマイズされたプロダクトを提供する
そしてR & Dのプロジェクトのためのサービス。
それは私達のによって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である
よいreputatiaons。そう私達はまた同類として他のある材料の基質を提供してもいい: SiCのウエファー
包装– Logistcs
Worldhawkの心配はパッケージ、帯電防止クリーニング衝撃処置のそれぞれ詳しく述べる。
量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!
FAQ –
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(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、FOBによるSFを受け入れ、
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Q:受渡し時間は何であるか。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日である。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数である。
Q:MOQは何であるか。
(1)目録のための、MOQは5pcsである。
(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcs-30pcsである。
Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。
会社概要
上海の有名な貿易CO.、株式会社は中国最もよい市である、私達の工場は2014年にウーシー都市で創設されます上海市に置き。
私達は電子工学、光学、光電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびcustiomized光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にします。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR
& Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供します。
それは私達のよいreputatiaonsによって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野です。