6Inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質

型式番号:6INCH GaAsのウエファー
原産地:中国
最低順序量:10pcs
供給の能力:500PCS/Month
受渡し時間:1-4weeks
包装の細部:100等級のクリーン ルームのペット フィルム
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Shanghai Shanghai China
住所: 部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細 会社概要
製品詳細

6inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質


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GaAsのウエファー

 

GaAsのウエファーGaAsの基質のウエファーGaASの基質のウエファーGaASは高周波、高い電子移動、高い電子性能、低い唾液音および線形長所の優秀な特性が付いている半導体材料である。それは光電子工学およびマイクロエレクトロニクス工業で広く利用されている。光電子工学工業では、GaASの基質のウエファーはLED (発光管)、LD (教授の軽い庭)、光起電装置、等の製造に使用することができる。マイクロエレクトロニクスの企業の分野ではMESFET (金属の半導体分野効果の革管)、HEMT (高い電子移動度のトランジスター)、HBT (ヘテロ接合の両極トランジスター)、IC、マイクロウェーブ ダイオード、ホール装置、等を作るのに、それが使用することができる。

 

適用
マイクロウェーブ ダイオード、Gunnのダイオード、バラクター ダイオード、等。
マイクロウェーブ トランジスター:電界効果トランジスタ(FET)、高い電子移動度のトランジスター(HEMT)、ヘテロ接合の両極トランジスター(HBT)、等。
集積回路:マイクロウェーブ単一集積回路(MMIC)、超高度の速度の集積回路(VHSIC)、等。
ホール素子
 
指定の細部
 
LEDの塗布のためのGaAs (ガリウム砒素)
項目指定注目
伝導のタイプSC/nタイプ 
成長方法VGF 
添加物ケイ素 
ウエファーDiamter2、3の及び4インチインゴットかようにカットの利用できる
水晶オリエンテーション(100) 2°/6°/15°を離れた(110)利用できる他のmisorientation
EJか米国 
キャリア集中(0.4~2.5) E18/cm3 
RTの抵抗(1.5~9) E-3 Ohm.cm 
移動性1500~3000のcm2/V.sec 
腐食ピット密度<500> 
レーザーの印要望に応じて 
表面の終わりP/EまたはP/P 
厚さ220~350um 
準備ができたエピタクシーはい 
パッケージ単一のウエファー容器かカセット 

 

 

プロダクト表示


私達のZMKJについて

ZMKJは中国最もよい市である、私達の工場は創設される上海市に置き、
2014.Weのウーシー都市ではウエファー、基質にいろいろな材料を処理することを専門にしなさい
そして電子工学、光学で広く利用された光学ガラスparts.componentsをcustiomized
光電子工学および他の多くの分野。私達はまたずっと多くの国内を密接に使用している
そして海外大学、研究所および会社は、カスタマイズされたプロダクトを提供する
そしてR & Dのプロジェクトのためのサービス。
それは私達のによって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である
よいreputatiaons。そう私達はまた同類として他のある材料の基質を提供してもいい: SiCのウエファー
 
 
 
包装– Logistcs
Worldhawkの心配はパッケージ、帯電防止クリーニング衝撃処置のそれぞれ詳しく述べる。
量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!
FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、FOBによるSFを受け入れ、
 そして50%の沈殿物、配達の前の50%の支払状態。
 
Q:受渡し時間は何であるか。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日である。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数である。
 

Q:MOQは何であるか。
(1)目録のための、MOQは5pcsである。
(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcs-30pcsである。
Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。

 

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