4H-N 4インチの窒化珪素SiCの基質の高い発電装置のための模造の等級SiCの基質
型式番号:4H
原産地:中国
最低順序量:3pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:1000pcs/months
受渡し時間:10-30days
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Shanghai Shanghai China
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細
会社概要
製品詳細
4H-N 4H-SEMI 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ SiC 基板 高性能機器用の製造グレードの偽品
H 高純度シリコンカービッド基板 高純度4インチSiC基板 半導体用4インチシリコンカービッド基板宝石のためのシークリンゴ
応用分野
1 高周波および高電力電子機器 スコットキーダイオード,JFET,BJT,PiN,ダイオード,IGBT,MOSFET
2 光電子装置: 主にGaN/SiCブルーLED基板材料 (GaN/SiC) のLEDで使用
優位性
• 格子 の 不一致 が 低い
• 高熱伝導性
• 低電力消費
• 絶好の短時間特性
• 高帯域間隔
シリコン・カービッド・シシ・C・結晶基板のウェーファー・カーボリンダム
4H-Nおよび4H-SEMI SiC (シリコンカービッド) 基板,直径は2インチ,3インチ,4インチ,6インチなど,高性能装置の製造に広く利用されているのは,材料の性能が優れているためこのSiC基板の主要な特性として,高性能アプリケーションに最適化されています.
幅広く: 4H-SiCは,3.26 eVほどの幅の帯域があります.これは,シリコンのような伝統的な半導体材料と比較して,より高い温度,電圧,周波数で効率的に動作できるようにします.
高断裂電場: SiCの高分解電場 (最大2.8 MV/cm) は,デバイスが故障なく高電圧に対応できるようにし,MOSFETsやIGBTなどの電源電子機器にとって不可欠です.
優れた熱伝導性: SiC は,3.7 W/cm·K の熱伝導性を有し,シリコンよりもかなり高いので,より効果的に熱を散らすことができます.これは高温環境のデバイスにとって重要です.
高飽和電子速度: SiC は高電子飽和速度を提供し,レーダーシステムや5G通信などのアプリケーションで使用される高周波デバイスの性能を向上させます.
機械 的 力 と 硬さ: SiC基板の硬さと強さは,極端な運用条件でも長期にわたる耐久性を保証し,工業用装置に非常に適しています.
欠陥密度が低い: 製造級のSiC基板は欠陥密度が低く,デバイスの最適性能が保証されるが,偽基板は欠陥密度が高くなる.試験および機器の校正のために適している.
これらの特性により,電気自動車,再生可能エネルギーシステム,航空宇宙の用途.
シリコンカルビッド材料の特性
| 資産 | 4H-SiC シングルクリスタル | 6H-SiC シングルクリスタル |
| 格子パラメータ | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 積み重ねの順序 | ABCB | ABCACB |
| モース硬さ | ≈92 | ≈92 |
| 密度 | 3.21g/cm3 | 3.21g/cm3 |
| 熱 膨張係数 | 4〜5×10〜6/K | 4〜5×10〜6/K |
| 屈折指数 @750nm | 2 は 2 です.61 ne = 2 について66 | 2 は 2 です.60 ne = 2 について65 |
| ダイレクトリ常数 | c~966 | c~966 |
| 熱伝導性 (N型,0.02オム/cm) | a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K | |
| 熱伝導性 (半絶縁) | a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンドギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 断裂する電場 | 3〜5×106V/cm | 3〜5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
2標準の6インチサイズ
| 6インチ直径 4H-N&半シリコンカービッド基板仕様 | ||||||||
| 基板のプロパティ | ゼログレード | 生産級 | 研究級 | ダミーグレード | ||||
| 直径 | 150 mm-0.05 mm | |||||||
| 表面の向き | 軸外: 4°向かい <11-20> ± 0.5° 4H-N 軸上: 4H-SI の場合 <0001>±0.5° | |||||||
| 主要的な平面方向性 | {10-10} ±5.0° 4H-N/ 4H-Semiのノッチ | |||||||
| 主要平面長さ | 47.5 mm ± 2.5 mm | |||||||
| 厚さ 4H-N | STD 350±25mm または 500±25mm に合わせた | |||||||
| 厚さ 4H-SEMI | 500±25mmのSTD | |||||||
| ウェッファー・エッジ | シャムファー | |||||||
| 4H-N のマイクロパイプ密度 | <0.5マイクロパイプ/cm2 | ≤2マイクロパイプ/cm2 | ≤10マイクロパイプ/cm2 | ≤15マイクロパイプ/cm2 | ||||
| 4H-SEMI のマイクロパイプ密度 | <1マイクロパイプ/cm2 | ≤5マイクロパイプ/cm2 | ≤10マイクロパイプ/cm2 | ≤20マイクロパイプ/cm2 | ||||
| 高強度光による多型エリア | 許されない | 面積 ≤10% | ||||||
| 4H-Nに対する抵抗性 | 0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm | (面積75%) 0.015Ω·cm~0.028Ω·cm | ||||||
| 4H-SEMIに対する抵抗性 | ≥1E9 Ω·cm | |||||||
| LTV/TTV/BOW/WARP | ≤3μm/≤6μm/≤30μm/≤40μm | ≤5μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60μm | ||||||
高強度の光によってヘックスプレート | 累積面積 ≤0.05% | 累積面積 ≤0.1% | ||||||
Sイリコン表面高強度の光による汚染 | ゼロ | |||||||
視覚的な炭素含有 | 累積面積 ≤0.05% | 累積面積 ≤3% |
高強度光による多型領域 | ゼロ | 累積面積≤3% |
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