HPSI 4H-SEMI透明な無色のカスタマイズされたSICのレンズ

型式番号:高い純度un-doped 4h-semi

原産地:陶磁器

最低順序量:5PCS

支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T

供給の能力:5000pcs/months

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製品詳細会社概要

製品詳細

HPSI 4H-SEMI透明な無色のカスタマイズされたsicレンズ高い純度

力装置企業の炭化ケイ素の適用

性能の単位のケイ素Siの炭化ケイ素SiCガリウム窒化物GaN
バンドギャップのeV                 1.12 3.26 3.41
故障の電界MV/cm   0.23 2.2 3.3
電子移動度cm^2/Vs       1400 950 1500
速度10^7 cm/sを漂わせなさい           1 2.7 2.5
熱伝導性W/cmK       1.5 3.8 1.3

ZMSHはSiCのウエファーおよびエピタクシーを提供する:SiCのウエファーは優秀な性能の第三世代の広いbandgapの半導体材料である。それに広いbandgap、高い熱伝導性、高い故障の電界、高く本質的な温度、放射抵抗、よい化学安定性および高い電子飽和漂流率の利点がある。SiCのウエファーに大気および宇宙空間、柵の運輸、光起電発電、送電、新しいエネルギー車および他の分野で大きい適用見通しがまたあり、パワーエレクトロニクスの技術への革命的な変更を持って来る。Siの表面かCの表面は1つのウエファーの容器、以下100きれいな教室に窒素のガスによって詰まるepi準備ができた等級としてCMP各ウエファーあるである。

Epi準備ができたSiCのウエファーにNのタイプがあるまたはSemi-insulating、polytypeは異なった質等級の4Hまたは6H、Micropipe密度（MPD）である:自由、<5/cm2、<10/cm2、<30/cm2、<100/cm2利用できるサイズ2つ、3つ、4つおよび6つはである。SiCのエピタクシーに関して、ウエファーの厚さの均等性へのウエファー:均等性を添加するウエファーへの2%およびウエファー:4%はundoped、E15、E16、E18、E18/cm3のnのタイプから、利用できる集中を添加してあり、pのタイプepiの層は20/cm2の下に両方とも利用できるのepiの欠陥ある;すべての基質はepiの成長のための使用された生産の等級べきである;Nタイプのepiの層<20ミクロンはnタイプ、E18 cm3の0.5のμmの緩衝層に先行される;Nタイプのepi layers≥20ミクロンはnタイプ、E18の1-5 μmの緩衝層に先行される;Nタイプの添加はウエファー（17ポイント）を渡る平均値としてHgの調査CVを使用して定められる;厚さはウエファー（9ポイント）を渡る平均値としてFTIRを使用して定められる。

Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズまた提供することができる。

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