3inch 76.2mm NタイプSはマイクロエレクトロニクスのためのガリウム砒素のウエファーを添加した

型式番号:GaAs3inch
原産地:中国
最低順序量:5pcs
供給の能力:100pcs/month
受渡し時間:1-4weeks
包装の細部:100等級のクリーン ルームの25pcs casstle
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住所: 部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細 会社概要
製品詳細

VFGのmetod Nタイプ3inch、4inchのマイクロエレクトロニクスのための6inch dia150mm GaAsのガリウム砒素のウエファーのSemi-insulatingタイプ、


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GaAsの)ガリウム砒素のウエファー

ガリウム砒素(GaAs)は要素ガリウムおよびヒ素の混合物である。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体である。

ガリウム砒素はマイクロ波振動数の集積回路、単一マイクロウェーブ集積回路、赤外線発光ダイオード、半導体レーザー、太陽電池および光学窓のような装置の製造で使用される。[2]

GaAsはインジウムのガリウム砒素、アルミニウム ガリウム砒素および他を含む他のIII-Vの半導体のエピタキシアル成長のための基質材料として頻繁に使用される。

GaAsのウエファーの特徴および塗布

特徴適用分野
高い電子移動度発光ダイオード
高周波半導体レーザー
高い変換効率光起電装置
低い電力の消費高い電子移動度のトランジスター
直接バンド ギャップヘテロ接合の両極トランジスター

指定

Undoped GaAs

Semi-Insulating GaAsの指定


成長方法VGF
添加物カーボン
ウエファーShape*円形(DIA:2"、3"、4"、および6")
表面のオリエンテーション**(100) ±0.5°

*5」利用できるウエファー要望に応じて

**利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション


抵抗(Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
移動性(cm2/V.S)≥ 5,000≥ 4,000
腐食ピッチ密度(cm2)1,500-5,0001,500-5,000

ウエファーの直径(mm)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
厚さ(µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
ゆがみ(µm)≤10≤10≤10≤5
の(mm)17±122±132.5±1ノッチ
の/(mm)7±112±118±1N/A
Polish*P/E E/E P/PP/E E/E P/PP/E E/E P/PP/E E/E P/P

*E=Etched、P=Polished


FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
(2)あなた自身の明白な数があれば、大きい。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができる。Freight=USD25.0 (最初の重量) + USD12.0/kg

Q:受渡し時間は何であるか。
(1)球レンズ、パウエル レンズおよびコリメーター レンズのような標準的なプロダクトのために:
目録のため:配達は順序の後に5仕事日である。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数である。
(2)以外標準的なプロダクトのための、配達は順序を置いた後2か6週労働日数である。

Q:支払う方法か。
および等のT/T、Paypal、西連合、MoneyGram、安全な支払および貿易保証…

Q:MOQは何であるか。
(1)目録のための、MOQは5pcsである。
(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-20pcsである。
それは量および技術によって決まる

Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。

包装– Logistcs
Worldhawkの心配はパッケージ、帯電防止クリーニング衝撃処置のそれぞれ詳しく述べる。量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!


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3inch 76.2mm NタイプSはマイクロエレクトロニクスのためのガリウム砒素のウエファーを添加した

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