高い熱伝導性の抵抗Sicの量の光学のための光学ブロックレンズ

型式番号:高い純度un-doped 4h-semi

原産地:中国

最低順序量:10pcs

供給の能力:100pcs/months

受渡し時間:10-20days

包装の細部:、単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーンルームの環境で包まれる

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

確認済みサプライヤー

Shanghai Shanghai China

住所：部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード清浦地区上海市,中国 /201799

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製品詳細会社概要

製品詳細

高い純度光学レンズまたは装置のためのun-doped 4inch 4H-Semiの炭化ケイ素sicのウエファー

炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム

炭化ケイ素の物質的な特性

製品名:

炭化ケイ素（SiC）の水晶基質

製品の説明:

2-6inch

技術的な変数:

細胞構造	六角形
一定したに格子をつけなさい	= 3.08 Å c = 15.08 Å
優先順位	ABCACB （6H）
成長方法	MOCVD
方向	成長軸線または部分的な（0001） 3.5 °
ポーランド語	Siの表面の磨くこと
Bandgap	2.93 eV （間接）
伝導性のタイプ	Nかseimiの高い純度
抵抗	0.076オームcm
誘電率	e （11） = e （22） = 9.66 e （33） = 10.33
熱伝導性@ 300K	5 cmと。K
硬度	9.2 Mohs

指定:

6H Nタイプ4H Nタイプのsemi-insulating dia2 「x0.33mm、dia2」x0.43mm、dia2 " x1mmt、10x10mm、10x5mmの単一の投球または二重投球、RA <10A

標準的な包装:

1000クリーンルーム、100きれいな袋か単一箱の包装

力装置企業の炭化ケイ素の適用

性能の単位のケイ素Siの炭化ケイ素SiCガリウム窒化物GaN
バンドギャップのeV                 1.12 3.26 3.41
故障の電界MV/cm   0.23 2.2 3.3
電子移動度cm^2/Vs       1400 950 1500
速度10^7 cm/sを漂わせなさい           1 2.7 2.5
熱伝導性W/cmK       1.5 3.8 1.3

SiCの水晶は重要で広いbandgap半導体材料である。高い熱伝導性のために、高い電子漂流率、高い故障分野強さおよび安定した物理的な、化学特性のそれは高周波および高い発電の電子デバイスの高温で広く利用されている。これまでのところ発見された200以上のタイプのSiCの水晶がある。その中で、4H-および6H SiC水晶は商業的に供給された。皆6mmポイントグループに第2次非線形光学効果をもたらすために属し。Semi-insulating SiCの水晶は目に見え、中型である。赤外線バンドにより高い伝送がある。従って、SiCの水晶に基づく光電子工学装置は高温および高圧のような極度な環境の適用のために非常に適している。Semi-insulating 4H SiC水晶は中間赤外線非線形光学結晶の新型であると証明された。一般的な中間赤外線非線形光学結晶と比較されて、SiCの水晶に水晶による広いバンドギャップ（3.2eV）がある。、高い熱伝導性（490W/m·SiCを水晶に作るSi-C間のK）にそして大きい結合エネルギー（5eV）に高いレーザーの損傷閾値がある。従って、非線形周波数変換の水晶としてsemi-insulating 4H SiC水晶に強力な中間赤外線レーザーの出力で明らかな利点がある。従って、強力なレーザーの分野に、SiCの水晶は広い適用見通しの非線形光学結晶である。但し、SiCの水晶および関連適用の非線形特性に基づく現在の研究はまだ完全ではない。この仕事は主要な研究の内容として4H-および6H SiC水晶の非線形光学的性質を取り、非線形光学の分野のSiCの水晶の適用を促進するために非線形光学的性質の点ではSiCの水晶のある基本的な問題を解決することを向ける。一連の関連の仕事は論理上そして実験的に遂行された。主要な研究結果は次の通りある:　　最初に、SiCの水晶の基本的な非線形光学的性質は調査される。目に見え、中間赤外線バンド（404.7nm~2325.4nm）の4H-および6H SiC水晶の可変的な温度の屈折は、および可変的な温度r.i.のSellmierの同等化合ったテストされた。単一の発振器のモデル理論が熱光学係数の分散を計算するのに使用された。理論的な説明は与えられる;4H-および6H SiC水晶の段階一致に対する熱視覚の効果の影響は調査される。結果は6H SiC水晶はまだ温度段階一致を達成できないが4H SiC水晶の段階一致が温度によって影響されないことを示す。条件。さらに、semi-insulating 4H SiC水晶の頻度倍増の要因はメーカーのフリンジ方法によってテストされた。　　2番目に、4H SiC水晶のフェムト秒光学変数生成そして拡大の性能は調査される。段階一致、一致する群速度800nmフェムト秒レーザーによってポンプでくまれる4H SiC水晶の最もよい非collinear角度および最もよい水晶長さは論理上分析される。チタニウムによる800nm出力の波長のフェムト秒レーザーを使用して:ポンプ源としてサファイアレーザーは、非線形光学結晶として3.1mm厚いsemi-insulating 4H SiC水晶を使用して二段式光学パラメーター付き拡大の技術を使用して、3750nmの中心の波長との90°段階、はじめて、中間赤外線レーザー、17μJまでの単一のパルスエネルギー一致以下、および70fsの脈拍幅実験的に得られた。532nmフェムト秒レーザーはポンプライトとして使用され、SiCの水晶は光学変数によって603nmの出力中心の波長の信号ライトを発生させるために段階一致する90°である。3番目に、非線形光学媒体として水晶semi-insulating 4H SiCの分光広がる性能は調査される。実験結果はことを水晶の水晶長さそしてレーザーの出力密度の事件の広げられたスペクトルの増加の半最高幅示す。線形増加は入射光の強度の水晶のr.i.の相違によって主に引き起こされる自己段階調節の原則によって説明することができる。同時にフェムト秒の時間目盛で、SiCの水晶の非線形r.i.が水晶の束縛電子および伝導帯の自由な電子に主に帰因するかもしれないことが、分析される;前もって532nmレーザーの下でSiCの水晶を調査するのにそしてzスキャン技術が使用されている。非線形吸収および非線形r.i.の性能。

2. Un-doped高い純度sparent 4H-SEMI SICのインゴット

Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズまた提供することができる。

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