3inch 4inch 2inch 0.35mm DSPの表面4h-N炭化ケイ素Sicのウエファー
型式番号:4H-N、3inch
原産地:中国
最低順序量:10pcs
供給の能力:100pcs/months
受渡し時間:10-20days
包装の細部:、単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 13 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
4inch dia100m 4H-Nのタイプ生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、
4inch種結晶の等級のためのカスタマイズされた厚さ4inch 4H-Nの炭化ケイ素水晶sicのウエファー;
3inch 4inch 4h-n 4h-semi模造テスト等級の炭化ケイ素sicのウエファー
炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム
炭化ケイ素の物質的な特性
| 製品名: | 炭化ケイ素（SiC）の水晶基質 | ||||||||||||||||||||||||
| 製品の説明: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| 技術的な変数: |
| ||||||||||||||||||||||||
| 指定: | 6H Nタイプ4H Nタイプのsemi-insulating dia2 「x0.33mm、dia2」x0.43mm、dia2 " x1mmt、10x10mm、10x5mmの単一の投球または二重投球、RA <10A | ||||||||||||||||||||||||
| 標準的な包装: | 1000クリーン ルーム、100きれいな袋か単一箱の包装 |
力装置企業の炭化ケイ素の適用
性能の単位のケイ素Siの炭化ケイ素SiCガリウム窒化物GaN
バンド ギャップのeV 1.12 3.26 3.41
故障の電界MV/cm 0.23 2.2 3.3
電子移動度cm^2/Vs 1400 950 1500
速度10^7 cm/sを漂わせなさい 1 2.7 2.5
熱伝導性W/cmK 1.5 3.8 1.3
ケイ素（Si）装置によって比較されて、炭化ケイ素（SiC）力装置は効果的に力の電子システムの高性能、小型化およびライト級選手を達成できる。炭化ケイ素力装置のエネルギー損失はSi装置のそれの50%だけである、熱生成はケイ素装置のそれの50%だけであり、より高い電流密度がある。同じパワー
レベルで、炭化ケイ素力モジュールの容積はケイ素力モジュールのそれよりかなり小さい。理性的な力モジュールIPMに、炭化ケイ素力装置を使用して、モジュールの容積を一例として取ることは1/3からケイ素力モジュールの2/3に減らすことができる。
3つのタイプの炭化ケイ素力のダイオードがある:ショットキー ダイオード（SBD）、ピン・ダイオードおよび接続点障壁制御ショットキー
ダイオード（JBS）。ショットキー障壁が原因、SBDでより低い接続点障壁の高さがある、従ってSBDに低い前方電圧の利点がある。炭化ケイ素SBDの出現は250Vから1200VにSBDの適用範囲を増加した。同時に、高温特徴は貝、逆の漏出現在の増加によって室温から175°Cによくない、ほとんど限った。3kVの上の整流器の適用分野では、炭化ケイ素PiNおよび炭化ケイ素JBSのダイオードはケイ素整流器より高い絶縁破壊電圧、速く切り替え速度、小さい容積および軽い重量による注意を引き付けた。
炭化ケイ素力MOSFET装置に理想的なゲートの抵抗、高速転換の性能が、低いオン抵抗および安定性が高いある。それは300V以下力装置の分野の優先する装置である。10kVの妨害電圧の炭化ケイ素MOSFETが首尾よく発達したことが報告される。研究者は炭化ケイ素MOSFETが3kVに5kVの分野の有利な位置を占めることを信じる。
炭化ケイ素の絶縁されたゲートの両極トランジスターに（SiC BJT、SiC
IGBT）および炭化ケイ素のサイリスタ（SiCのサイリスタ）、12kVの妨害電圧の炭化ケイ素PタイプIGBTの装置によい前方現在の機能がある。炭化ケイ素IGBT装置のオン抵抗は単極炭化ケイ素力装置によって比較することができる。Siの両極トランジスターによって比較されて、SiCの両極トランジスターに低が損失およびより低い伝導の電圧低下を転換する20-50倍ある。炭化ケイ素BJTはエピタキシアル
エミッターおよびイオンによって植え付けられるエミッターBJTに主に分けられ、典型的な現在の利益は10-50の間にある。
2. 基質は標準の大きさで分類する
4インチ（直径）の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定 | |||||||||
| 等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | |||||
| 直径 | 76.2 mm±0.3 mm | ||||||||
| 厚さ | 350 μm±25μm （200-2000um厚さはまた良い） | ||||||||
| ウエファーのオリエンテーション | 軸線を離れて:4H-N標準サイズのための<1120> ±0.5°の方の4.0° | ||||||||
| Micropipe密度 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |||||
| 抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| 第一次平たい箱および長さ | {10-10} ±5.0°、32.5 mm±2.0 mm | ||||||||
| 二次平らな長さ | 18.0mm±2.0 mm | ||||||||
| 二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | ||||||||
| 端の排除 | 3つのmm | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| 荒さ | ポーランドRa≤1 nm、CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
| 高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | ||||||
| 高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | ||||||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | ||||||
Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズ また提供することができる。
3.Products細部の表示
配達及びパッケージ
FAQ
- Q1. あなたの会社は工場または貿易会社であるか。
- 私達は工場であり、また私達自身輸出をしてもいい。
- Q2.Is sicビジネスを会社の唯一の使用か。
- はい;但し私達は自己によってsicの水晶を育てない。
- Q3. サンプルを供給するでしようか。
- はい、私達は顧客の要求に従ってサファイアのサンプルを供給してもいい
- Q4. sicのウエファーの在庫があるか。
- 私達は通常在庫で2-6inchウエファーからの一部の標準サイズsicのウエファーを保つ
- Q5.Whereは見つけられるあなたの会社である。
- 上海、中国にある私達の会社。
- Q6. どの位プロダクトを得るために取るか。
- 通常処理するために3~4週かかる。それはプロダクトのそしてサイズによって決まることである。
3inch 4inch 2inch 0.35mm DSPの表面4h-N炭化ケイ素Sicのウエファー
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