4インチのLDの半導体レーザーのためのSemi-Insulatingリン化インジウムINPウエファー
型式番号:INP3inch
原産地:中国
最低順序量:10pcs
供給の能力:1000pcs/month
受渡し時間:3-毎年
包装の細部:単一のウエファーの箱
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 13 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
4inch LDの半導体レーザーのためのSemi-Insulatingリン化インジウムINPウエファー、半導体ウエハー、3inch INPウエファー、LDの適用のための単結晶wafer2inch 3inch 4inch INP基質、半導体ウエハー、INPウエファー、単結晶のウエファー
INPは導入する
| INP単結晶 | |
成長（Czochralski変更された方法）が単一を引っ張るのに使用されている 種から始まってencapsulantホウ素の酸化物の液体を通した水晶。 添加物（Fe、S、SnまたはZn）はpolycrystalと共にるつぼに加えられる。高圧は部屋の中でインジウムPhosphide.heの会社の分解を防ぐために開発した十分にstoechiometric、高い純度および低い転位密度INP単結晶をもたらすためにプロセスを適用される。 数に関連する熱バッフルの技術に 熱成長の状態の模倣。tCZは費用効果が大きい bouleからのbouleへの良質の再現性の成長した技術 | |
指定
FeはINPを添加した
Semi-Insulating INP指定
| 成長方法 | VGF |
| 添加物 | 鉄（FE） |
| ウエファーの形 | 円形（DIA:2"、3"、および4"） |
| 表面のオリエンテーション | （100） ±0.5° |
利用できる要望に応じて多分*Otherのオリエンテーション
| 抵抗（Ω.cm） | ≥0.5 × 107 |
| 移動性（cm2/V.S） | ≥ 1,000 |
| 腐食ピッチ密度（cm2） | 1,500-5,000 |
| ウエファーの直径（mm） | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| 厚さ（µm） | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] （µm） | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] （µm） | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| ゆがみ（µm） | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| の（mm） | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| の/（mm） | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | P/E E/E P/P | P/E E/E P/P | P/E E/E P/P |
*E=Etched、P=Polished
注:利用できる要望に応じて多分他の指定
n- そしてpタイプINP
半導体INP指定
| 成長方法 | VGF |
| 添加物 | nタイプ:S、SnおよびUndoped;pタイプ:Zn |
| ウエファーの形 | 円形（DIA:2"、3"、および4"） |
| 表面のオリエンテーション | （100） ±0.5° |
利用できる要望に応じて多分*Otherのオリエンテーション
| 添加物 | S及びSn （nタイプ） | Undoped （nタイプ） | Zn （pタイプ） |
| キャリア集中（cm3） | （0.8-8の） × 1018 | （1-10の） × 1015 | （0.8-8） ×1018 |
| 移動性（cm2/V.S.） | （1-2.5の） × 103 | （3-5の） × 103 | 50-100 |
| 腐食ピッチ密度（cm2） | 100-5,000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| ウエファーの直径（mm） | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| 厚さ（µm） | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] （µm） | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] （µm） | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| ゆがみ（µm） | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| の（mm） | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| の/（mm） | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | P/E E/E P/P | P/E E/E P/P | P/E E/E P/P |
*E=Etched、P=Polished
注:利用できる要望に応じて多分他の指定
| INPウエファーの処理 | |
| 各インゴットは、磨かれて重なり合うおよび表面切られるエピタクシーのために準備されるウエファーに。全面的なプロセスはこの下に詳しく述べられる。 | |
| 平らな指定および同一証明 | オリエンテーションは2つの平たい箱によってウエファーで示される（長く同一証明のオリエンテーション、小さい平たい箱のために平らな）。通常E.J.の標準は（European-Japanese）使用される。互い違いの平らな構成（米国）はØ 4"のために大抵ウエファー使用される。 |
| bouleのオリエンテーション | 厳密な（100）またはmisorientedウエファーは提供される。 |
| オリエンテーションの正確さのの | 光電子工学の企業の必要性に応じて、私達オリエンテーションのの優秀な正確さの提供のウエファー: < 0=""> |
| 端のプロフィール | 2つの共通specsがある:処理するか、または機械端の処理する化学端（端の粉砕機と）。 |
| ポーランド語 | ウエファーは平らな、無傷性の表面に終って化学薬品機械プロセスによって磨かれる。私達は磨かれる二重側および単一側の磨かれた（重ね合わせられ、エッチングされた裏側と）ウエファーを両方提供する。 |
| 最終的な生地ごしらえおよび包装 | ウエファーは多くの化学ステップによって磨くことの間に作り出される酸化物を取除き、エピタキシアル成長の準備ができている安定した、均一酸化物の層ときれいな表面を作成することを行く-
epiready表面およびそれは極端に低いレベルに微量の元素を減らす。最終検査の後で、ウエファーは表面の清潔を維持する方法で包まれる。 酸化物の取り外しのための特定の指示はすべてのタイプのエピタキシアル技術（MOCVD、MBE）のために利用できる。 |
| データベース | ウエファーのあらゆるインゴット、また水晶質および表面の分析のための私達の統計的なプロセス制御/総合的品質管理プログラムの一部として、電気および機械特性を記録する広範なデータベースは利用できる。製作の各段階で、プロダクトはウエファー ウエファーにとbouleからのbouleに質の一貫性のhigh-levelを維持する次の段階に通じる前に点検される。 |
パッケージ及び配達
FAQ:
Q:あなたのMOQおよび受渡し時間は何であるか。
:（1）目録のための、MOQは5 PCである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10-30 PCである。
（3）カスタマイズされたプロダクトのために、2-3weeksのための10daysの受渡し時間、custiomzedサイズ
4インチのLDの半導体レーザーのためのSemi-Insulatingリン化インジウムINPウエファー
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