エネルギー効率が良い照明のための高い発電の効率のGaNのウエファー ガリウム窒化物のウエファー

型式番号:GaN-001
原産地:中国
最低順序量:1pcs
支払の言葉:L/C、T/T
供給の能力:10pcs/month
受渡し時間:2 - 4週間
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所: 部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 13 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

2inch HVPE方法ガリウム窒化物のGaNのウエファー、LEDのapplicaionのためのGaNの自由で永続的な基質、10x10mmのサイズのGaNの破片、HVPE GaNのウエファー


GaNの特徴について導入して下さい

高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要はmadetheの半導体の企業を半導体として使用される材料の選択を再考してもらいます。例えば、

さまざまでより速く、より小さい計算装置が起こると同時に、ケイ素の使用はムーアの法律を支えることを困難にしています。しかしまたパワー エレクトロニクス、従ってGaNの半導体ウエハーで必要性のために育てられます。

独特な特徴(高い最高の現在、高い絶縁破壊電圧および高い転換の頻度が)の原因、ガリウム窒化物GaN未来のエネルギー問題を解決する選択の独特な材料はです。GaNはシステムを持っていて高い発電の効率を基づかせていて、従って従って減少の電源切れはより高い頻度で、転換しま、サイズおよび重量を減らします。


GaNの技術は産業の、消費者およびサーバー電源、太陽の、ACドライブおよびUPSインバーターおよび雑種および電気自動車のような多数の強力な適用で使用されます。なお、

GaNは細胞基地局、レーダーおよびケーブル・テレビのようなRFの適用に理想的に適します

高い故障の強さのおかげでネットワーキングの下部組織、大気および宇宙空間および防衛セクター、低雑音図および高い直線性。

適用

  1. - さまざまなLED'S:白いLED、すみれ色LED、紫外LED、青いLED
  2. - 環境の検出
  3. MOCVD等によるエピタキシアル成長のための基質
  4. - 半導体レーザー:すみれ色LD、超小さいプロジェクターのための緑LD。
  5. - 力の電子デバイス
  6. - 高周波電子デバイス
  7. レーザーの投射の表示、力装置、等。
  8. 日付の貯蔵
  9. エネルギー効率が良い照明
  10. 高性能の電子デバイス
  11. 新しいエネルギーsolorの水素の技術
  12. 光源のterahertzバンド

GaNの基質LEDの等級のための指定


2" GaNの基質
項目GaN FSN
次元Ф 50.8mmの± 1mm
Marcoの欠陥密度
Cのレベル> 2 cm-2
厚さ330 ± 25のµm
オリエンテーションC軸線(0001)の± 0.5°
平らなオリエンテーション(1-100の) ± 0.5°の16.0の± 1.0mm
平らな二次オリエンテーション(11-20の) ± 3°の8.0 ± 1.0mm
TTV (総厚さの変化)≤15 µm
≤20 µm
伝導のタイプNタイプ
抵抗(300K)< 0="">
転位密度5x106 cm-2よりより少し
使用可能な表面積> 90%
ポーランド語前部表面:RA < 0="">
背部表面:良い地面
パッケージ、単一のウエファーの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。

マクロ欠陥のquanlityはですLEDの等級のウエファーのcommen (15-30pcs)のための<30pcs


私達のサービス

1. 工場直接製造および販売法。

2. 速く、正確な引用。

3. 24就業時間以内にあなたへの応答。

4. ODM:カスタマイズされた設計は利用できます。

5. 速度および貴重な配達。


FAQ

Q:在庫か標準的なプロダクトがありますか。

A:はい、commenは在庫のlike2inch 0.3mmの標準サイズとして常に大きさで分類します。


Q:サンプル方針はどうですか。

A:テストのための10x10mmのサイズの背部を第一に買うことができることを残念、しかし提案して下さい。


Q:私が順序を今置けば、私が配達を得た前にどの位ありますか。

A:1weeksの在庫の標準サイズは支払の後に表現することができます。

そして私達の支払の言葉は50%の沈殿物で、配達の前に去りました。

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エネルギー効率が良い照明のための高い発電の効率のGaNのウエファー ガリウム窒化物のウエファー

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