W29EE512P-70集積回路の破片64K X 8つのCMOSのフラッシュ・メモリ

W29EE512

64K × 8 CMOSのフラッシュ・メモリ

概説

W29EE512は512Kビット、5ボルト64Kとして『組織されるCMOSのフラッシュ・メモリだけ8ビットです。装置はプログラムすることができ、標準的な5V電源が付いている内部システムを消しました。12ボルトVPPは要求されません。極端に低い消費電流との速いプログラム/消去操作のW29EE512結果の独特な細胞の建築（他の対等な5ボルトのフラッシュ・メモリ プロダクトと比較される）。装置はまた標準的なEPROMプログラマーを使用してプログラムされ、消すことができます。

特徴

·単一の5ボルト プログラムおよび消去操作

·速い操作をページ書いて下さい

 -ページごとの128バイト

 -ページの業務計画周期:10氏（最高。）

 -有効なバイト プログラム サイクル時間:39氏  

 -任意ソフトウェア保護されたデータは書きます

·速い破片消去操作:50氏

·読み取りアクセスの時間:70/90/120 nS

·典型的なページのプログラム/消去周期:1K/10K

·10年データ保持

·ソフトウェアおよびハードウェア データ保護

·低い電力の消費

 -活動的な流れ:50 mA （最高。）

 -スタンバイの流れ:100 mA （最高。）

·内部VPPの生成と時間を計る自動プログラム

·プログラム検出の終わり

 -トグル ビット

 -データ投票

·掛け金を降ろされた住所およびデータ

·TTL多用性がある入力/出力

·JEDECの標準的なバイト幅のpinouts

·利用できるパッケージ:32ピンPLCC、TSOPおよびVSOP

絶対最高評価

注:絶対最高評価の下にリストされているそれらを越える条件への露出は不利に装置の生命そして信頼性に影響を与えるかもしれません。

標準的な提供（熱い販売法）

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