CY62157EV30LL-45BVXI電子ICは8-Mbit （512K X 16）静的なRAMを欠きます

CY62157EV30 MoBL®

8-Mbit （512K X 16）静的なRAM

特徴

•512K X 16または1M x 8 SRAMとして構成可能TSOP Iのパッケージ

•高速:45 ns

•広い電圧範囲:2.20V-3.60V

•CY62157DV30と互換性があるPin

•超低い予備発電

 —典型的なスタンバイの流れ:2 µA

 —最高のスタンバイの流れ:8 µA （産業）

•超低いアクティブな電源

 —典型的で活動的な流れ:1.8 mA @ f = 1つのMHz

•CE1、CE2およびOEの特徴との容易なメモリ拡張

•選択解除された場合自動力

•最適速度および力のためのCMOS

•Pbなしおよび非Pbなしの48ボールVFBGAで利用できる、

 Pbなしの44ピンTSOP IIおよび48ピンTSOP Iパッケージ

機能の記述^[1]

CY62157EV30は16ビットにつき512K単語として組織される高性能CMOSの静的なRAMです。この装置は超低く活動的な流れを提供するために高度の回路設計を特色にします。これは携帯電話のような携帯用適用のより多くの電池Life™ （MoBL®）を提供するために理想的です。装置はまた住所が留まっていないときかなりパワー消費量を減らす自動力を特色になってもらいます。選択解除された場合待機モードに装置を置いて下さい（高い低いセリウム₁かセリウム_2はまたはBHEおよびBLE両方高いです）。入力または出力ピン（次の場合にはIO₀からIO₁₅）は高いインピーダンス状態に置かれます:

 •選択解除される（高い低いセリウム₁かセリウム₂）

 •出力は不具です（高いOE）

 •バイトの両方最高は可能になり、バイト低いEnable不具です（高いBHE、BLE）

 •操作をです活発書いて下さい（高いセリウム_1つの低速、セリウム₂および低い私達）

装置に書くためには、破片を（低い高いセリウム₁およびセリウム₂）可能にし、取るために低く可能にします(WE)の入力を書いて下さい。バイトの低速が可能になれば(BLE)は低いです、IOピン（IO₀からIO₇）からのデータは住所ピン（A₀からA₁₈）で指定される位置に書かれています。バイトの最高が可能になれば(BHE)は低いです、IOピン（IO₈からIO₁₅）からのデータは住所ピン（A₀からA₁₈）で指定される位置に書かれています。

装置から読むためには、破片を可能にします（低い高いセリウム₁およびセリウム_2を）取れば書を強制している間出力は(OE)の低速を可能にします(WE)の最高を可能にします。バイトの低速が可能になれば(BLE)は低いです、住所ピンによって指定されるIO₀からIO₇で記憶場所からのデータは現われます。バイトの最高が可能になれば(BHE)は低いです、記憶からのデータはIO₈からIO₁₅で現われます。

論理のブロック ダイヤグラム

ノート1。最良実施の推薦のために、Cypressのアプリケーション ノートAN1064のSRAMシステム指針を参照して下さい

最高の評価

最高の評価を超過することは装置の電池の寿命を短くするかもしれません。ユーザーの指針はテストされません。

保管温度......................................................................... – 65°Cへの+ 150°C

力の周囲温度は........................................... – 55°Cをに+ 125°C適用しました

潜在性................................ – 0.3Vに3.9V （V_CCmax + 0.3Vを）ひく供給電圧

DC電圧は高Z状態^[6、7] ......... – 0.3Vに3.9V （V_CCmax + 0.3V）の出力に適用しました

DC入力の電圧^[6、7] .................................................... – 0.3Vへの3.9V （VCC最高+ 0.3V）

出力への出力電流（低い） ....................................................................... 20 mA

静電気放電の電圧....................................... > 2001V （MIL-STD-883の方法3015）

流れの上の掛け金............................................................................................... > 200 mA

標準的な提供（熱い販売法）

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