TDA2050V力Mosfetのトランジスター32Wハイファイ可聴周波電力増幅器

型式番号:TDA2050V
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:8900pcs
受渡し時間:1 日
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Shenzhen Guangdong China
住所: B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 25 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

 

TDA2050

32Wハイファイ可聴周波電力増幅器

 

• 高出力力(50W音楽力IEC 268.3の規則)

•高い操作の供給電圧(50V)

•供給操作を選抜するか、または裂いて下さい

•非常に低いゆがみ

•短絡の保護(GNDに)

•熱操業停止

 

記述

TDA 2050年は可聴周波クラスABのオーディオ・アンプとして使用のために意図されているPentawattのパッケージの単一集積回路です。高い発電の機能のおかげでTDA2050 8ohm負荷に4オームの負荷に35W本当rmsの力@ THD = 10%、対= ±18V、f = 1KHzと32Wまで提供@ THD = 10%、対= ±22V、f = 1KHzできます。さらに、TDA 2050年はVS= 22.5V、f = 1KHzで1秒にわたる4オームの負荷に50W音楽力を普通提供します。

 

高い発電および非常に低く倍音およびクロスオーバーのゆがみは(THD = 0.05%のtyp、@対= ±22V、PO = 15Wへの0.1、RL=8ohm、f = 100Hzへの15KHz)装置をハイファイおよび一流のテレビのために最も適したようにします。

 

絶対最高評価

記号変数価値単位
VS供給電圧±25V
VI入力電圧VS 
VI差動入力電圧±15V
IO出力ピーク電流(内部的に限られる)5A
Pの幼児電力損失Tの場合= 75°C25W
Tstg、Tj貯蔵および接合部温度-40から150°C

 

テストおよび適用回路

 

ピン接続(平面図)

 

 

 

 

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。ブランドD/Cパッケージ
SGL-0622Z15818RFMD16+QFN
SZM-2066Z1235RFMD15+QFN
SZM-2166Z1238RFMD16+QFN
SZM-3066Z1316RFMD16+QFN
RT8010PQW12272RICHTEK10+QFN
RT8015AGQW17386RICHTEK16+QFN
RT8121GQW35732RICHTEK16+QFN
RT8152DGQW10040RICHTEK13+QFN
RT8205LZQW36016RICHTEK13+QFN
RT8207GQW7404RICHTEK16+QFN
RT8237EZQW10324RICHTEK14+QFN
RT8561BGQW6688RICHTEK10+QFN
RT8857GQW16764RICHTEK16+QFN
RT8859MZQW14748RICHTEK16+QFN
RT9026GQW18488RICHTEK15+QFN
RTL8101E-GR24744RICNIEK12+QFN
SE2603L-R10060SIGE12+QFN
SI2173-A40-GM2795ケイ素10+QFN
SI32260-C-FM12048年ケイ素16+QFN
SI3239-C-FMR8196ケイ素16+QFN
SI3239-E-ZM32798ケイ素12+QFN
SII5723CNU1706ケイ素14+QFN
SI3402-A-GMR2645SILICONLA15+QFN
SI7005-B-GM11481SILICONLA16+QFN
SM41081916年SILICONMI14+QFN
SIT9102AI-183N33E14426SITIME10+QFN
SE2593A20-R2540SKYWORKS14+QFN
SKY13317-373LF7300SKYWORKS15+QFN
SKY7716215679SKYWORKS16+QFN
USB2514B-AEZC8448SMSC16+QFN

 

 

 

 

China TDA2050V力Mosfetのトランジスター32Wハイファイ可聴周波電力増幅器 supplier

TDA2050V力Mosfetのトランジスター32Wハイファイ可聴周波電力増幅器

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