PIC16F505-I/P電子ICは8/14 Pinの8ビット抜け目がないマイクロ制御回路を欠きます

PIC12F508/509/16F505

8/14 Pinの8ビット抜け目がないマイクロ制御回路

このデータ用紙に含まれている装置:

•PIC12F508

•PIC12F509

•PIC16F505

高性能RISC CPU:

•学ぶ33の1語の指示だけ

•2周期であるプログラム枝を除くすべての単一周期の指示、

•12ビット広い指示

•2レベルの深いハードウェア積み重ね

•データおよび指示のための直接の、間接および相対的なアドレッシング・モード

•8ビット広いデータ・パス

•8つの特殊関数のハードウェア レジスター

•規定回転数:

 - DC – 20のMHzのクロックの入力（PIC16F505だけ）

 - DC – 200 nsの命令サイクル（PIC16F505だけ）

 - DC –クロックの入力4つのMHzの

 - DC – 1000のnsの命令サイクル

特別なマイクロ制御回路特徴:

•4つのMHzの精密内部発振器:

 - ±1%に目盛りが付いている工場

•回路内連続Programming™ （ICSP™）

•回路内(ICD)デバッギング サポート

•調整(POR)パワー

•装置調整のタイマー(DRT)

•信頼できる操作のための熱心なオン破片RCの発振器が付いているウォッチドッグ タイマー（WDT）

•プログラム可能なコード保護

•多重型にされたMCLRの入力ピン

•入力/出力ピンの内部弱い懸垂

•パワー セービングの休眠モード

•ピン変更の睡眠から目覚し

•選択可能な発振器の選択:

 - INTRC:4つのMHzの精密内部発振器

 - EXTRC:外的な低価格RCの発振器

 - XT:標準的な水晶/共鳴器

 - HS:高速水晶/共鳴器（PIC16F505だけ）

  - LP:パワー セービング、低頻度の水晶

 -欧州共同体:高速外的なクロックの入力（PIC16F505だけ）

ローパワーFeatures/CMOSの技術:

•動作電流:

 - < 350="">

•スタンバイの流れ:

 -典型的な100 nA @ 2V

•ローパワーの、高速抜け目がない技術:

 - 100,000抜け目がない持久力

 - > 40年の保持

•十分に静的な設計

•広い操作電圧範囲:2.0Vへの5.5V

•広い温度較差:

 -産業:-40°Cへの+85°C

 -延長:-40°Cへの+125°C

周辺特徴（PIC12F508/509）:

•6つの入力/出力ピン:

 -個々の方向制御を用いる5つの入力/出力ピン

 - 1つの入れられたピンだけ

 -直接LEDドライブのための高い現在の流し/源

 -航跡変更

 -弱い懸垂

•8ビット プログラム可能なprescalerと8ビット実時間時計/反対（TMR0）

周辺特徴（PIC16F505）:

•12の入力/出力ピン:

 -個々の方向制御を用いる11の入力/出力ピン

 - 1つの入れられたピンだけ

 -直接LEDドライブのための高い現在の流し/源

 -航跡変更

 -弱い懸垂

•8ビット プログラム可能なprescalerと8ビット実時間時計/反対（TMR0）

Pinの図表

絶対最高評価^（†）

バイアス....................................................................... - 40°Cへの+125°Cの下の周囲温度

保管温度........................................................................................ - 65°Cへの+150°C

+6.5VへのV_SS ........................................................................... 0に関するV_DDの電圧

+13.5VへのV_SS ....................................................................... 0に関するMCLRの電圧

V_SS ........................................... -0.3Vに関する他のすべてのピンの電圧への（V_DD + 0.3V）

全体の電力損失^（1） .............................................................................................. 800 MW

最高。V_SSピンからの流れ............................................................................................. 200 mA

最高。V_DDピンへの流れ................................................................................................. 150 mA

入力クランプ流れ、I_IK （V_私< 0="" or="" V=""> I > V_DD） ...................................................................... ±20 mA

出力クランプ流れ、Iの_OK （V_O< 0="" or="" V=""> O > V_DD） .............................................................. ±20 mA

最高。入力/出力ピンによって.............................................................................沈む出力電流25 mA

最高。入力/出力ピンによって供給された出力電流........................................................................ 25 mA

最高。入力/出力の港によって供給された出力電流............................................................................. 75 mA

最高。入力/出力の港によって...................................................................................沈む出力電流75 mA

ノート1:電力損失は次の通り計算されます:PDIS = VDD X {IDD – ∑ IOH} + ∑ {（VDD – VOH） x IOH} + ∑ （VOL. x IOL）

†の通知:「絶対最高評価の下に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれません。これは評価するただ圧力であり、それらの装置またはこの指定の操作のリストで示されるそれらの上の他のどの条件のも機能操作は意味されません。長期の最高の評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれません。

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