2N6052 PNPダーリントン力のケイ素のトランジスター ショットキー障壁の整流器ダイオードsr360

2N6052 PNPダーリントン力のケイ素のトランジスター ショットキー障壁の整流器ダイオードsr360

. 。general−purposeのアンプおよび低頻度の切換えの適用のために設計されている

• 高いDCの現在の利益—

              hFE = 3500 （Typ） @ IC = 5.0 Adc

•Collector−Emitterの支える電圧— @ 100 mA

                       VCEO （SU） = 80 Vdc （分） — 2N6058

                                            100 Vdc （分） — 2N6052、2N6059

•Built−In Base−Emitterの分路抵抗器を搭載する単一構造

トランジスターの能力を扱う力に2つの限定があります:平均接合部温度および第2故障。安全運転区域のカーブは信頼できる操作のために観察されなければならないトランジスターのICの− VCEの限界を示します;すなわち、トランジスターはより大きい消滅にカーブが示すより服従してはなりません

図5、6、および7のデータはTJ （pk）に= 200C基づいています;TCは条件によって可変的です。第2故障の脈拍の限界は10%提供されたTJ （pk）に使用率のために有効200Cです;TJ （pk）は図4.のデータから計算されるかもしれません。場合の高温で、熱限定は価値に扱うことができる第2故障によって課された限定よりより少し力を減らします。

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