MC14070BDR2Gの電子工学ICは集積回路ICの部品を欠きます
型式番号:MC14070BDR2G
原産地:元の
最低順序量:500pcs
支払の言葉:T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力:22000pcs
受渡し時間:1 日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
MC14070BDR2Gの電子工学ICは集積回路ICの部品を欠きます
「排他的なCMOS SSIのクォードまたは」および「」ゲート
MC14070Bのクォードの独占記事かゲートおよびMC14077Bのクォードの独占記事ゲートはMOS P−channelおよび単一の単一構造のN−channelの強化モード装置によって組み立てられます。これらの補足MOSの論理回路は低い電力の消滅や高いノイズ耐性が望まれる第一次使用を見つけます。
特徴
•供給電圧の範囲= 3.0 Vdcから18 Vdc
•緩衝されるすべての出力
•2つを運転することができる
Low−Power TTLの負荷か1つ
評価される温度較差上のLow−PowerショットキーTTLの負荷
•すべての入力の二重ダイオードの保護
•CD4030BおよびCD4070BのタイプのためのMC14070Bの−の取り替え
•CD4077BのタイプのためのMC14077Bの−の取り替え
•Pb−FreeのパッケージはAvailable*です
最高の評価（VSSに参照される電圧）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
Vdd | DCの供給電圧の範囲 | -0.5から+18.0 | V |
| Vin V | 入力または出力電圧範囲（DCかトランジェント） | Vdd+0.5への-0.5 | V |
| I I | Pinごとの入力または出力電流（DCかトランジェント） | +-10 | mA |
PD | パッケージ1個あたりの電力損失、 | 500 | MW |
| TA | 周囲温度の範囲 | -55から+125 | °C |
| Tのstg | 保管温度の範囲 | -65から+150 | °C |
| TL | 鉛の温度 | 260 | °C |
MC14070BDR2Gの電子工学ICは集積回路ICの部品を欠きます
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