NGD8201NGの整流器ダイオードの集積回路の破片USBのフラッシュのマイクロ制御回路

NGD8201NG整流ダイオード集積回路チップUSBフラッシュマイクロコントローラ

NGD8201NG

点火IGBT 20A、400V、NチャネルDPAK

このロジックレベル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、誘導コイルドライバアプリケーションで使用するためにESDと過電圧保護を統合したモノリシック回路を備えています。 主な用途には、イグニッション、直接燃料噴射、または高電圧および大電流スイッチングが必要な場所が含まれます。

特徴

•コイルオンプラグおよびドライバオンコイルアプリケーションに最適

DPAKパッケージは、基板スペースを増加させるために、より小さなフットプリントを提供します。

•ゲートエミッタESD保護

•温度補償されたゲートコレクタ電圧クランプは負荷に印加されるストレスを制限します

•内蔵ESDダイオード保護

•ロジック負荷またはマイクロプロセッサデバイスへの電力負荷のインタフェースのための低スレッショルド電圧

•低飽和電圧

•高パルス電流能力

•オプションのゲート抵抗（RG）とゲートエミッタ抵抗（RGE）

アプリケーション

•イグニッションシステム

最大定格 （特に指定のない限り、TJ = 25°C）

定格記号値単位コレクタ - エミッタ間電圧VCES 440 V

コレクタ - ゲート電圧VCER 440 V

ゲート・エミッタ電圧VGE 15 V

コレクタ電流 - 連続@ TC = 25°C - パルスIC 20 50

ADC AAC連続ゲート電流IG 1.0 mA

過渡ゲート電流（t≦2 ms、f≦100 Hz）IG 20 mA

ESD（充電デバイスモデル）ESD 2.0kV

ESD（人体モデル）R = 1500、

C = 100pF ESD 8.0kV ESD（マシンモデル）R = 0、C = 200pF

ESD 500 V合計消費電力@ TC = 25°C

25℃以上の勾配PD 125 0.83 WW /℃

動作温度および保管温度範囲TJ、Tstg -55〜+ 175℃

株式リストの 一部

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