E28F128J3A-150マイクロチップおよび集積回路の集積回路は3ボルトのIntel StrataFlashの記憶を欠きます

3ボルトのIntel® StrataFlash™の記憶

28F128J3A、28F640J3A、28F320J3A （x8/x16）

製品の機能

■の高密度対称妨げられた建築

    — 128の128 Kバイトの消去のブロック（M） 128

    — 64の128 Kバイトの消去のブロック（M） 64

    — 32の128 Kバイトの消去のブロック（M） 32

■の高性能インターフェイス非同期ページ モードは読みます

    — 110/25のnsの読み取りアクセス回（M） 32

    — 120/25のnsの読み取りアクセス回（M） 64

    — 150/25のnsの読み取りアクセス回（M） 128

■ 2.7 V-3.6 V VCC操作

■ 128ビット保護記録

    — 64ビットの独特な装置識別子

    — 64ビットのユーザー プログラム可能なOTPの細胞

■はデータ保護の特徴の絶対保護をとのVPEN = GND高めました

    —適用範囲が広いブロックの錠

    —力の転移の間のブロックの消去/プログラム閉鎖

■の包装

    — 56鉛TSOPのパッケージ

    — 64ボールIntel®容易なBGAのパッケージ

■交差互換性がある命令サポートIntelの基本的なコマンド セット

    —共通の抜け目がないインターフェイス

    —拡張可能な命令セット

■ 32バイトは緩衝を書きます

    —バイトの有効なプログラミングの時間ごとの6つのµs

■ 12.8M総Min. Erase Cycles （128 Mbit）

   6.4M総Min. Erase Cycles （64 Mbit）

   3.2M総Min. Erase Cycles （32 Mbit）

    — 100Kブロックごとの最低の消去周期

■のオートメーションは選択を中断します

    —ブロックの消去は読むために中断します

    —ブロックの消去はプログラムするために中断します

    —プログラムは読むために中断します

■ 0.25のµのIntel® StrataFlash™のメモリ技術

Intelの0.25のµの世代別2ビット每細胞の技術を生かして、第二世代のIntel® StrataFlash™のメモリ プロダクトは主流の性能に新しい特徴を2Xに1Xのビット スペース、与えます。128-Mbit （16 Mバイト）で提供されて、64-Mbitおよび32-Mbit密度は、これらの装置信頼できるの抜け目がない市場区分への2ビット每細胞のストレージ技術持って来ます。

利点は下記のものを含んでいます:未来の装置へのコードおよびデータ記憶のためのより少ないスペースのより多くの密度、高速インターフェイス、最も低い費用每ビット装置、サポート、および容易な移動。

Intelの1ビット每細胞プロダクトと同じベースのETOX™の技術を使用して、Intel StrataFlashのメモリ素子、記憶装置は1987年以来の製造業の経験の1十億の単位に利用します。その結果、Intel StrataFlashの部品は高密度および安価が要求されるコードおよびデータ適用にとって理想的です。例はネットワーキング、テレコミュニケーション、デジタル セット トップ ボックス、録音およびデジタル画像が含まれています。

FlashFile™の記憶家族のpinoutsを加えることによって、Intel StrataFlashのメモリ コンポネントはFlashFileの既存の単語全体の記憶からの容易な設計移動（28F160S3および28F320S3）、および第一世代のIntel StrataFlashの記憶（28F640J5および28F320J5）装置を可能にします。

Intel StrataFlashのメモリ コンポネントは前方互換性があるソフトウェア サポートの新しい世代を提供します。共通の抜け目がないインターフェイス(CFI)および拡張可能な命令一定の(SCS)の使用によって、顧客は密度の改善を利用でき、最大限に活用される未来のIntel StrataFlashのメモリ素子、記憶装置の機能を書いて下さい。

0.25ミクロンETOX™ VIの加工技術をIntel®で製造されて、Intel StrataFlashの記憶はおよび信頼性最も高い品質基準を提供します。

絶対最高評価

注:

1. すべての指定電圧はGNDに関してあります。最低のDC電圧は–入出力ピンの0.5ボルトおよび– VCCおよびVPENピンの0.2ボルトです。転移の間に、このレベルはundershoot –期間の2.0ボルトかもしれないです <20 ns="">

2. 以上1秒の間ショートする出力。出力される複数一度にショートさせる。

3ボルトのIntel® StrataFlash™のメモリ ブロックの図表

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