RFP70N06高い発電mosfetのトランジスターはMosfetのトランジスターNチャネル力のMOSFETsに動力を与えます

RFG70N06、RFP70N06、RF1S70N06SM

70A、60V、0.014オーム、Nチャネル力のMOSFETs

これらはMegaFETプロセスを使用して製造されたNチャネル力のMOSFETsです。LSI回路のそれらに近づく形状を使用するこのプロセスは顕著な性能に終ってケイ素の最適利用を、与えます。彼らは切換え調整装置、切換えのコンバーター、モーター運転者およびリレー運転者のような適用の使用のために設計されていました。これらのトランジスターは集積回路から直接作動させることができます。

以前進化のタイプTA49007。

特徴

•70A、60V

•rDS （） = 0.014Ω

•温度によって償われるPSPICE®モデル

•ピーク電流対脈拍幅のカーブ

•UISの評価のカーブ（単一の脈拍）

•175oC実用温度

•関連の文献

  - TB334 「パソコン ボードへのはんだ付けする表面の台紙の部品のための指針」

絶対最高評価TC = 25℃、他に特に規定がなければ

注意:「絶対最高評価に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれません。これは評価するただ圧力であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されません。

注:1. TJ = 25oCへの150℃

記号

包装

標準的な提供（熱い販売法）

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