HY6264ALP-10 8ピンIC破片の電子デバイスおよび集積回路の集積回路はx8 SRAMを欠きます

HY6264Aシリーズ8Kx8bit CMOS SRAM

記述

HY6264Aはヒュンダイの高性能の双生児のたらいCMOSの加工技術を使用して製造される高速、低い電力および8,192x8ビットCMOS静的なRAMです。革新的な回路設計の技術とつながれるこの高い信頼性プロセス70nsの収穫の最高のアクセス時間。HY6264Aに2.0ボルトの最低の電源電圧で有効に残るためにデータを保証するデータ保持モードがあります。CMOSの技術を使用して、2.0からの5.5ボルトへの供給電圧はデータ保持モードで供給の流れに対する僅かな影響をもたらします。現在の下水管を最小にするために供給電圧を減らすことはHY6264Aシリーズのために不必要です。

特徴

·十分に静的な操作および三国から成った出力

·TTLの多用性がある入出力

·低い電力の消費

·バッテリー・バックアップ（L/LL部分）

  -2.0V （最少）データ保持

·標準的なピン構成

  -28ピン600ミルPDIP

  -28ピン330ミルSOP

絶対最高評価^（1）

絶対最高評価の下にリストされているそれらが装置への永久的な損害を与えるかもしれないより大きいにノート1.は重点を置きます。これは評価するただ圧力であり、これらの下の装置またはこの指定の操作で示されるそれらの上の他のどの条件のも機能操作は意味されません。絶対最高評価の状態への露出は長期間にわたって信頼性に影響を与えるかもしれません。

発注情報

 ピン接続のブロック ダイヤグラム

パッケージ情報

28pin 600milはインライン パッケージ（P）二倍になります

28pin 330milの小さい輪郭のパッケージ（J）

標準的な提供（熱い販売法）

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