TPIC6595Nの集積回路の破片力の論理の8ビット シフト レジスタ

力の論理の8ビット シフト レジスタ

►低いrDSの（）… 1.3 Ω

►の典型的ななだれエネルギー… 75 mJ

► 8は250 mAのDMOSのトランジスター出力に動力を与えます

►の連続的な流れ

► 1.5-Aは流れ每の脈打ちました

45ボルトの►の出力出力クランプ電圧

►装置はCascadableです

►の低い電力の消費

記述

TPIC6595は比較的高い負荷力を要求するシステムの使用のために設計されている単一、高圧、highcurrent力の8ビット シフト レジスタです。装置は誘導の一時的な保護のための出力の作り付けの電圧クランプを含んでいます。力の運転者の塗布はリレー、ソレノイドおよび他の媒体現在か高圧負荷を含んでいます。

この装置は8ビットを連続の、8ビットDタイプの記憶レジスタに与える平行シフト レジスタ含んでいます。転位記録の上昇端の転位そして記憶レジスタ両方を通るデータ転送はそれぞれ(SRCK)および記録の時計(RCK)の時間を記録します。記憶レジスタは出力バッファにshiftregisterのゆとり（SRCLR）が高いときデータを移します。SRCLRが低いとき、入力シフト レジスタは取り除かれます。出力が可能になるとき（G）は保持された最高です、出力バッファのすべてのデータは保持された低速であり、すべての下水管の出力は消えています。Gが保持された低速のとき、記憶レジスタからのデータは出力バッファに対して透明です。連続出力（SER）はシフト レジスタからの付加的な装置へデータの滝のように落ちることを可能にします。

出力は45ボルトの出力評価の低側、オープン下水管DMOSのトランジスターおよび250 mA連続的な流しの流れの機能です。出力バッファのデータが低いとき、DMOSトランジスター出力は消えています。データが高いとき、DMOSトランジスター出力に流しの流れの機能があります

別の力および論理水平な地上ピンは最高のシステム自在性を促進するために提供されます。ピン1、10、11、20は内部的に接続され、および各ピンはひかれるパワー系統に寄生インダクタンスを最小にするために外的に接続されなければなりません。ピン19、論理と負荷回路間の混線を減らす20の力の地面（PGND）間の一点関係は、外的におよび論理の地面（LGND）、およびピン1、10、11、ある意味ではなされなければなりません。

TPIC6595は– 40°Cに125°Cの作動の場合の温度較差上の操作のために特徴付けられます

入出力の設計図

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