MSP430F2252IDARの集積回路の破片の新しい及び元の複雑な兆候のマイクロ制御回路

MSP430x22x2、MSP430x22x4

複雑な兆候のマイクロ制御回路

• 低い供給電圧の範囲1.8 Vから3.6ボルト
• 超低力の消費
  • −のアクティブ・モード:1つのMHz、2.2ボルトの270 μA
  • −の待機モード:0.7のμA
  • モード（RAMの保持）を離れた−:0.1のμA
• 1以下μsの待機モードからの超高速の目覚し
• 16ビットRISCの建築、62.5 ns命令サイクルの時間
• 基本的なクロック・モジュール構成:
  • −の内部頻度±1%への4つの目盛りを付けられた頻度の16までのMHz
  • −の内部非常低力の低頻度の発振器
  • − 32 kHzの水晶
  • −の高周波水晶16までのMHz
  • −の共鳴器
  • −の外的なデジタル時計の源
  • −の外面の抵抗器
• 3つの捕獲の16ビットのTimer_Aは/記録を比較します
• 3つの捕獲の16ビットのTimer_Bは/記録を比較します
• 普遍的なシリアル通信インターフェイス
  • −は高めました自動Baudrate検出（林）を支えるUARTを
  • −のIrDAのエンコーダーおよびデコーダー
  • −同期SPI
  • − I² C^TM
• 内部参照の10ビット、200-ksps A/Dのコンバーター、サンプルおよび把握、Autoscanおよびデータ転送のコントローラー
• 2つの構成可能の演算増幅器（MSP430x22x4だけ）
• 節電の探知器
• 連続機内プログラミングの保証ヒューズによる外的なプログラミングの電圧によって必要とされるプログラム可能なコード保護
• ブートストラップ ローダー
• 破片の模範化モジュール
• 家族は下記のものを含んでいます:
  • MSP430F2232:8KB + 256Bフラッシュ・メモリ512BのRAM
  • MSP430F2252:16KB + 256Bフラッシュ・メモリ512BのRAM
  • MSP430F2272:32KB + 256Bフラッシュ・メモリ1KBのRAM
  • MSP430F2234:8KB + 256Bフラッシュ・メモリ512BのRAM
  • MSP430F2254:16KB + 256Bフラッシュ・メモリ512BのRAM
  • MSP430F2274:32KB + 256Bフラッシュ・メモリ1KBのRAM
  • 38 Pinで利用できる収縮を薄くして下さい
  • 小型輪郭のパッケージ（TSSOP）および40 Pin QFNのパッケージ
• 完全なモジュールの記述のために、MSP430x2xx家族のユーザーズ ガイドを参照して下さい

記述

超低力のマイクロ制御回路のテキサス・インスツルメントMSP430の系列はさまざまな適用のために目標とされるペリフェラルの異なったセットを特色にする複数の装置から成っています。5つのローパワー モードと結合される建築は携帯用測定の適用の延長電池の寿命を達成するために最大限に活用されます。装置は最高コード効率に貢献する強力な16ビットRISC CPU、16ビットの記録をおよび一定した発電機を特色にします。ディジタル式の発振器(DCO)はローパワー モードからの1以下μsのアクティブ・モードに目覚しを可能にします。

MSP430x22xxシリーズは統合された参照およびデータ転送のコントローラーが付いている(DTC) 2つの作り付けの16ビットのタイマー、普遍的なシリアル通信インターフェイス、10ビットA/Dコンバーター、MSP430x22x4装置および32の入力/出力ピンの2つの一般目的の演算増幅器が付いている超低力の複雑な兆候のマイクロ制御回路です。

典型的な適用はデジタル価値にアナログ信号を捕獲するセンサー システムを、変えそれらを、次に上位システムに処理します表示または伝達のデータを含んでいます。無線周波数の(RF)独立センサーの前部分は適用のもう一つの区域です。

絶対最高評価（ノート1）を見て下さい

V_CCにV_SSで適用される電圧…………………………………。−0.3 Vから4.1 V 

ピンに適用される電圧（ノート2）を………………………見て下さい。 V_CC+0.3 Vへの−0.3 V

装置ターミナル…………………………………… ±2 mAのダイオード流れ

保管温度の範囲、Tstg （unprogrammed装置は150°Cに、ノート3）の…… ...−55 °Cを見ます

保管温度の範囲、Tstg （プログラム装置は、ノート3）を………見ます。−40°Cへの105°C

注:

1. 「絶対最高評価の下に」リストされているそれらを越える圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれません。これらは圧力の評価だけであり、これらの装置またはの下で「示されたそれらを越える他のどの条件のも機能操作は作動条件」を意味されません推薦しました。長期の絶対最高評価される条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれません。

2. VSSに参照されるすべての電圧。JTAGのヒューズ打撃の電圧、VFBが、絶対最高評価を超過する。電圧はテスト ピンにJTAGのヒューズを吹くとき適用されます。

3. 高い温度はピーク退潮の温度の現在のJEDEC J-STD-020の指定に従って板はんだ付けするプロセスの間に荷箱または巻き枠の装置ラベルで高くないより分類されて応用であるかもしれません。

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