COP8SCR9HVA8集積回路の破片8ビットCMOSのフラッシュは32k記憶、事実上EEPROMおよび節電のマイクロ制御回路を基づかせていました

型式番号:COP8SCR9HVA8
原産地:元の
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力:5200PCS
受渡し時間:1 日
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Shenzhen Guangdong China
住所: B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

8ビットCMOSのフラッシュは32k記憶、事実上EEPROMおよび節電のマイクロ制御回路を基づかせていました


概説

  COP8SBR9/SCR9/SDR9は基づいたマイクロ制御回路です事実上EEPROM、高速タイマー、USART、および節電の調整を含む32kフラッシュ・メモリそして進んだ機能が付いている非常に統合されたCOP8™の特徴の中心装置、点滅します。この単一チップCMOS装置は大きい記憶のフル装備の、内部システムreprogrammableコントローラーおよび低いEMIを要求する適用に適します。同じ装置はCOP8ソフトウェアおよびハードウェア開発ツールの範囲との開発、試作期間および大量生産のために使用されます。

 

主要特点

►32 Kバイトはセキュリティ機能とのプログラム記憶点滅します

抜け目がないプログラム記憶を使用して►事実上EEPROM

►1 Kバイトの揮発性のRAM

破片ボーの発電機のとの►USART

フラッシュの► 2.7V-5.5V内部システム プログラム可能性

►の高い持久力- 100k読み書き周期

►Superiorデータ保持- 100年

HALT/IDLEの省電力モードの►Dualクロック オペレーション

 

ブロック ダイヤグラム

絶対最高評価

軍隊/大気および宇宙空間が指定したら装置によっては要求されましたり、供給および指定のための国民の半導体の営業所のディストリビューターが接触します。

 

供給電圧(VCC) 7V

 

Pin −0.3VへのVCC +0.3Vの電圧

 

VCC Pin (源)への合計の流れ200 mA

 

GND Pin (流し)からの合計の流れ200 mA

 

保管温度の範囲−65˚Cへの+140˚C

 

ESDの保護レベル2 kV (人体モデル)

 

 

機能の記述

ISPの特徴の構成はユーザーのフラッシュ プログラム記憶、工場ブーツROMから成り、一部はISP機能の実行に熱心登録します。簡単ブロック ダイヤグラムについては図13を見て下さい。MICROWIRE/PLUSを使用するプレ インストールISPはブーツROMで取付けられます。ブーツROMのサイズは1Kバイトで、またシステム模範化の機能で促進するためにコードを含んでいます。ユーザーが彼自身のISPルーチンを書くことを選べば抜け目がないプログラム記憶になければなりません

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COP8SCR9HVA8集積回路の破片8ビットCMOSのフラッシュは32k記憶、事実上EEPROMおよび節電のマイクロ制御回路を基づかせていました

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