AT45DB041B-CUの集積回路の破片の4メガビットの2.5ボルトか2.7ボルトDataFlash

4メガビットの2.5ボルトか2.7ボルトDataFlash AT45DB041B

特徴

•単一2.5V - 3.6Vか2.7V - 3.6V供給

•互換性がある連続周辺機器インターフェイス(SPI)

•最高のクロック周波数20のMHzの

•ページ プログラム操作

    –単一周期はプログラムし直します（消去およびプログラム）

    –主記憶操置2048ページ（264バイト/ページ）

•サポートは消去操作のページを捲り、妨げます

•2つの264バイトSRAMのデータ バッファ

    –フラッシュ・メモリの配列をプログラムし直している間データの受け入れを許可します

•全体の配列による連続的な読まれた機能

    –適用を尾行するコードのための理想

•低い電力の消滅

    – 4 mAの能動態は典型的な流れを読みました

    –典型的な2つのµA CMOSのスタンバイの流れ

•ハードウェア データ保護の特徴

•5.0V耐久性がある入力:SI、SCK、CS、調整およびWPピン

•商業および産業温度較差

•緑（迎合的なPb/Halide-free/RoHS）のパッケージの選択

記述

AT45DB041Bは理想的にいろいろデジタル音声、イメージ、プログラム コードおよびデータストレージの適用に適するSPIの多用性があるシリアル・インタフェースのフラッシュ・メモリです。記憶のその4,325,376ビットは264バイトの2048ページそれぞれとして組織されます。主記憶操置に加えて、AT45DB041Bはまた264バイトの2つのSRAMのデータ バッファをそれぞれ含んでいます。

緩衝は主記憶操置のページがプログラムし直されている間、また計量値を読むか、または書くことは流れますデータの受け入れを可能にします。EEPROMの模範化ははめ込み式スリー ステップの読書ModifyWrite操作と（ビットまたはバイトのalterability）容易に扱われます。複数アドレス ラインおよびパラレル インターフェイスと任意にアクセスされる慣習的なフラッシュ・メモリとは違って、DataFlashは次々にデータにアクセスするのにSPIのシリアル・インタフェースを使用します。DataFlashはSPIモード0およびモード3.を支えます。簡単なシリアル・インタフェースはハードウェア レイアウトを促進し、装置の信頼度を高め、切換えの騒音を最小にし、そしてパッケージのサイズおよび活動的なピン・カウントを減らします。装置は多くの商業および産業適用の使用のために、低いピン・カウント高密度、低電圧ところで最大限に活用され、低い電力は必要です。装置はクロック周波数で4 mAの典型的な能動態によって読まれる消費電流との20までのMHzを作動させます。

簡単な内部システムreprogrammabilityを可能にするためには、AT45DB041Bはプログラミングのために高い入力電圧が要求しません。装置は単一の電源、2.5Vから3.6Vにまたは2.7Vプログラムおよび読込み操作両方のための3.6Vに、作動します。AT45DB041Bは破片選り抜きピン（CS）を通して可能になり、連続入力(SI)、連続出力(SO)、および連続時計(SCK)から成っているthreewireインターフェイスによってアクセスされます。

すべての業務計画周期は自己時限であり、別の消去周期はプログラムする前に要求されません。

絶対最高のRatings*

バイアス................................ -55°Cへの+125°Cの下の温度

保管温度..................................... -65°Cへの+150°C

すべての入力電圧

（を含むNCピン）

地面................................... - 0.6Vへの+6.25Vに関して

すべての出力電圧

VCCへの地面............................. - 0.6Vに関して+ 0.6V

*NOTICE:「絶対最高評価の下に」リストされているそれらを越える圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれません。これは評価するただ圧力であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらを越える他のどの条件のも機能操作は意味されません。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれません。

ブロック ダイヤグラム

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