M2732A-2F1集積回路の破片NMOS 32K 4K X 8紫外線EPROM

NMOS 32K （4K X 8）紫外線EPROM

►の高速アクセス時間:200ns

►EXTENDEDの温度較差

►SINGLE 5Vの供給電圧

►LOWのスタンバイの流れ:最高35mA

►INPUTSおよび出力TTL

読まれたおよびプログラム►COMPLETELY空電の間の►COMPATIBLE

記述

  M2732Aはビット紫外線消去可能で、電気でプログラム可能な記憶32,768 EPROMです。それは8ビットにつき4,096ワードとして組織されます。単一5V電源と200 nsのアクセス時間のM2732Aは、速い適用に適する理想向きを変え、模造します実験1の重要な条件のです。

  M2732Aはピン窓の陶磁器のフリット シールの二重ラインのパッケージ24個でhonsed。透明なふたはユーザーがビット構成を消すために紫外線--に破片をさらすことを可能にします。新しいパターンはclericeにプログラミングのプロシージャに続くことによってそれから書くことができます。

表1.信号の名前

  出力ピンにデータ ゲートで制御するのに装置選択の独立者を使用されていて下さい。住所が安定していると仮定して、住所アクセス時間（tAVAQ）はEからの出力（tELQV）と遅れと等しいです。データはEが低く、住所が少なくともずっとtAVQV-tGLQVのために安定していると仮定するGの落ちる端の後で出力で利用できます。

待機モード

M2732Aに70%アクティブな電源の流れを減らす、125 mAから35 mAからあります待機モードが。M2732Aは待機モードにEの入力にTTL高い信号を加えることによって置かれます。待機モードで、出力は高いインピーダンス状態、GVPPの入力の独立者にあります時。

  M2732Aのための6つの運営方法はオペレーティング・モードのテーブルにリストされています。単一5V電源は読まれたモードに要求されます。すべての入力はVPPを除いてTTLのレベルです。

2ライン出力制御

M2732Aが通常より大きい記憶配列で使用されるので、この製品の機能多数の記憶関係の使用を収容する2回線制御機能。2回線制御機能は割り当てます:

a. 最も低く可能な記憶電力損失、

b. 出力バス競合が起こらないという保証を完了して下さい。

読まれたモードAC波形

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