論理のレベル変換のCD4051BPWRの集積回路の破片CMOSのアナログの多重交換装置/デマルチプレクサー

論理のレベル変換のCMOSアナログの多重交換装置/デマルチプレクサー

  CD4051B、CD4052BおよびCD4053Bのアナログの多重交換装置はインピーダンスの低速を持っている漏出流れを離れてディジタル式のアナログ スイッチおよび非常に低いです。（VDD-VSS = 3Vが、13VまでののVDD-VEE管理されます20VP-Pまでのアナログ信号の制御を4.5Vへの20Vのディジタル信号の広さ達成することができます;13Vの上のVDD-VEEのレベルの相違のために、少なくとも4.5VのVDD-VSSは要求されます）。

  例えば、VDD = +4.5V、VSS = 0Vが、およびV = -13.5V、0Vへの5Vのデジタル入力によって-13.5Vからの+4.5Vへのアナログ信号制御することができれば。これらの多重交換装置回路は完全なVDD-VSSおよびVDD-VEEの供給電圧上の極端に低い静止力を範囲、制御信号の論理の状態の独立者散らします。論理「1"が禁止で時ターミナルを、すべてのチャネルあります入れて下さい。

特徴

•広範囲デジタルおよびアナログ信号のレベル

- デジタル………………………… 3Vへの20V

- アナログ。………………………… ≤20VP-P

•抵抗、15VP-P上の125Ω （Typ）の低速

信号入力範囲のためのVDD-VEE = 18V

•抵抗を離れて高い、

±100pA （Typ）の漏出をでVDD-VEE = 18V運んで下さい

•デジタルのための論理レベルの転換

3Vに20Vの信号に（VDD-VSS = 3Vへの20V）への演説すること

20VP-Pにアナログ信号を転換して下さい（VDD-VEE = 20V）

•一致させたスイッチ特徴、rON = 5Ω （Typ）のためのVDD-VEE = 15V

•非常に低く静止電力損失

すべてのDigitalControlの入力および供給の状態の下、

0.2µW （Typ）のVDD-VSS = VDD-VEE = 10V

典型的な性能曲線

機能ブロック ダイヤグラム

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