W24258S-70LLの集積回路の破片新しい及び元の32K X 8つのCMOSの静的なRAM
型式番号:W24258S-70LL
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:5200PCS
受渡し時間:1 日
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サイト会員
Shenzhen Guangdong China
住所：
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
32K × 8 CMOSの静的なRAM
概説
W24258/LLは通常の速度、32768の× 8ビットとして組織される単一の5ボルトの電源を作動させる非常に低い電力CMOSの静的なRAMです。この装置はWinbondの高性能CMOSの技術を使用して製造されたです。
特徴
·低い電力の消費:
- 能動態:350 MW （最高。）
- スタンバイ:25 MW （最高。）
·アクセス時間:55/70 nS （最高。）
·単一5V電源
·十分に静的な操作
·互換性がある直接すべての入出力TTL
·3州の出力
·バッテリー・バックアップの作業能力
·データ保持の電圧:2V （最少）
·28ピンで包まれる600ミルのすくい、330ミルSOPおよび標準的なタイプ1 TSOP （8つのmm * 13.4 mm）を
絶対最高評価
| 変数 | 評価 | 単位 |
| VSSの潜在性への供給電圧 | -0.5から+7.0 | V |
| VSSの潜在性への入出力 | VDD +0.5への-0.5 | V |
| 正当な電力損失 | 1.0 | W |
| 保管温度 | -65から+150 | °C |
| 実用温度 | 0から70 | °C |
注:絶対最高評価の下にリストされているそれらを越える条件への露出は不利に装置の生命そして信頼性に影響を与えるかもしれません。
ACテスト条件
| 変数 | 条件 |
| 入力パルスのレベル | 0Vへの3.0V |
| 入力上昇および落下時間 | 5 nS |
| 入出力タイミングの参照レベル | 1.5V |
| 出力負荷 | 次デッサンを見て下さい |
ACは負荷および波形をテストします
ブロック ダイヤグラム
W24258S-70LLの集積回路の破片新しい及び元の32K X 8つのCMOSの静的なRAM
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