TLP734力Mosfetのトランジスター新しい及び元のGaAs Ired及び写真のトランジスター

型式番号:TLP734
原産地:元の工場
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:6800PCS
受渡し時間:1 日
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Shenzhen Guangdong China
住所: B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 25 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

東芝フォトカプラのGaAs赤外発光ダイオード&フォトトランジスタ

TLP733、TLP734


事務機器

家庭用機器

ソリッドステートリレー

スイッチング電源


TOSHIBA TLP733とTLP734は、光学6リードプラスチックDIP赤外発光ダイオードをガリウムヒ素に結合されたフォトトランジスタで構成されています。

TLP734は、高EMI環境のための無ベースの内部接続です。


  • コレクタ・エミッタ間電圧:55 V(最小)
  • 電流伝達率:50%(分)
    • ランクGB:100%(分)
  • ULは認識:UL1577は、なしファイルです。 E67349
  • BSIは承認された:BSのEN60065:1994
    • 証明書がありません。 7364
    • BS EN60950:1992
    • 証明書がありません。 7365
  • SEMKOが承認:SS4330784を
    • 証明書がありません。 9325163、9522142
  • アイソレーション電圧:4000 Vrmsの(分)
  • オプション(D4)タイプ
    • VDEは、承認された:DIN VDE0884 / 06.92、
      • 証明書がありません。 74286、91808
    • 最大動作絶縁電圧:630、890 VPK
    • 最高許容オーバー電圧:6000、8000 VPK

VDE0884承認されたタイプが必要な場合(注)、「オプション(D4)品"とご指定ください


7.62ミリメートルPICH 10.16ミリメートルのPICH

標準タイプ TLP×××Fタイプ

沿面距離:7.0ミリメートル(分)8.0ミリメートル(分)

クリアランス:7.0ミリメートル(分)8.0ミリメートル(分)

内部沿面パス:4.0ミリメートル(分)4.0ミリメートル(分)

絶縁体厚さ0.5mm(分)は、0.5ミリ(分)


最大定格(Ta = 25°C)

特性シンボル評価単位
LED順方向電流I F60ミリアンペア
順方向電流ディレーティング(Taの≥39°C)ΔIF /°C-0.7マック
ピーク順電流(100μsのパルス、100 PPS)I FP1A
逆電圧V R5V
接合部温度T J125°C
検出器コレクタエミッタ間電圧Vの最高経営責任者(CEO)55V
コレクタベース間電圧(TLP733)V CBO80V
エミッタコレクタ電圧V ECO7V
エミッタ・ベース電圧(TLP733)V EBO7V
コレクター電流I C50ミリアンペア
ワット損P C150mWの
消費電力ディレーティングタンタル(Ta≥25°C)ΔPC /°C-1.5mWの/°C
接合部温度T J125°C
保存温度範囲TのSTG- 55〜125°C
動作温度範囲T OPR-40〜100°C
鉛はんだ付け温度(10秒)T ゾル260°C
トータルパッケージの許容損失P T250mWの
トータルパッケージの電力損失低減率(Taの≥25°C)ΔPT /°C-2.5mWの/°C
絶縁電圧(AC、1分、RH≤60%)BV S4000V RMS

重量:0.42グラム

ピン配置(上面図)


TLP733

1:アノード2:カソード3:ノースカロライナ4:エミッタ5:コレクター6:ベース


TLP734

1:アノード2:カソード3:ノースカロライナ4:エミッタ5:コレクター6:ノースカロライナ


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TLP734力Mosfetのトランジスター新しい及び元のGaAs Ired及び写真のトランジスター

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