8バス トランシーバーの集積回路の破片の3州74HC245PW

1. 概説

74HC245;74HCT245は高速SiゲートCMOS装置で、ローパワー ショットキーTTL （LSTTL）と互換性があるピンです。

74HC245;74HCT245は多用性がある出力がの方向を送り、受け取る非逆になる3州のバスを特色にする8のトランシーバーです。74HC245;74HCT245は出力を方向制御の容易な滝のように落ちることおよび送信/受信の入力（DIR）のために（OE）入ることを可能になります特色にします。OEはバスが効果的に隔離されるように出力を制御します。

74HC245;74HCT245は74HC640に類似しています;74HCT640にしかし本当の（非逆になる）出力があります。

2. 特徴

■の8の二方向のバス・インターフェース

■の非逆になる3州の出力

■の多数のパッケージの選択

■はJEDECの標準いいえ7Aに従います

■ ESDの保護:

   ◆ HBM EIA/JESD22-A114-Bは2000ボルトを超過します

   ◆ MM EIA/JESD22-A115-Aは200ボルトを超過します

−40 °C +85 °Cにと−40 °Cから+125 °Cに指定される■

3. 即時参考データ

GND = 0ボルト;Tの_amb = 25 °C;tr = t_f = 6 ns

[1動的電力損失（µWのP_D）を定めるのに] C_PDが使用されています:

P_D = C_PDの× Vの×_CC^2の× f_IのN + ∑ （CLの× Vの×_CC^2のfo）ところ:

f_I = MHzの入れられた頻度;

f_o = MHzの出力された頻度;

C_L = pFの出力された負荷キャパシタンス;

V_CC = Vの供給電圧;

N =入力転換の数;

∑ （× C_L × Vの_CC^2のf_o） =出力の合計。

4. 機能図

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