GaAs DPDTスイッチ集積回路の部品ICの破片DC - 2つのGHz SW-289
型式番号:SW-289
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:3100pcs
受渡し時間:1 日
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サイト会員
Shenzhen Guangdong China
住所：
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
GaAs DPDTスイッチDC - 2つのGHz SW-289
特徴
- 非常に低い電力の消費:100 µW
- 低い挿入損失:0.5 dB
- 高い分離:2つのGHzまでの25 dB
- 非常に高い妨害ポイント:48のdBm IP3
- ナノ秒の切り替え速度
- 温度較差:-40˚Cへの+85˚C
- 安価SOIC14のプラスチック パッケージ
- 録音し、巻き取りま利用できる1つを包みます
記述
M/A-COM SW-289は安価SOICの14鉛の表面の台紙のプラスチック パッケージのGaAs MMIC DPDTスイッチです。SW-289は非常に低い電力の消費がのようなシステムにq u I再D.の典型的な適用に関して含める送信/受信の切換え、スイッチ・マトリクス、デジタル ステップ減衰器およびフィルター バンクをある使用に理想的に適します:無線および細胞装置、PCM、GPS、繊維光学モジュールおよび他の電池式の無線設備。
SW-289は成長した1ミクロン プロセスを使用して単一GaAs MMICと製造されます。プロセスは高められた性能および信頼性のための完全な破片の不動態化を特色にします。
| 変数 | テスト条件2 | 単位 | 最少。 | Typ。 | 最高。 |
| 挿入損失 | DC – 0.1 GHz DC – 0.5 GHz DC – 1.0 GHz DC – 2.0 GHz | dB dB dB dB | 0.35 0.35 0.4 0.6 | 0.5 0.5 0.6 0.8 | |
| 分離 | DC – 0.1 GHz DC – 0.1 GHz DC – 1.0 GHz DC – 2.0 GHz | dB dB dB dB | 50 40 32 20 | 56 43 35 23 | |
| VSWR | DC – 2.0 GHz | 1.3:1 | |||
Trise、Tfall トン、しゃれ者 トランジェント | 10%への90% RF、90%への10% RF 90% RFの10% RFへの50%制御への50%制御 バンド | nS nS mV | 3 6 15 | ||
1 dB 圧縮 | 入力パワー0.05 GHz 入力パワー0.5 – 2.0 GHz | dBm dBm | 22 27 | ||
| IP2 | 測定された親類0.05 GHz 入力パワー0.5 – 2.0 GHzに （+5 dBmまでのツートーン入力パワーのために） | dBm dBm
| 54 66
| ||
| IP3 | 測定された親類0.05 GHz 入力パワー0.5 – 2.0 GHzに （+5 dBmまでのツートーン入力パワーのために） | dBm dBm
| 45 48
|
1. 「テープ参照し、包装の」をセクション巻き取るか、または工場に連絡して下さい。
2. 0のすべての測定、50Wシステムの1つのGHzの-5のV制御電圧、他に特に規定がなければ。
| 変数 | 絶対最高 |
最高。入力パワー 0.05 GHz 0.5 – 2.0 GHz 電圧を制御して下さい 実用温度 保管温度 |
+27 dBm +34 dBm +5ボルト、-8.5ボルト -40°Cへの+85°C -65°Cへの+150°C |
これらの1の上のこの装置の1.Operation
変数は永久的な損害を与えるかもしれません。
機能設計図
典型的な性能
GaAs DPDTスイッチ集積回路の部品ICの破片DC - 2つのGHz SW-289
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