半橋運転者ICの電子部品、統合された部品IR2109S

HALF-BRIDGEの運転者 

IR 2109(4) （S）

特徴

•浮遊チャネルは免疫がある否定的で一時的な電圧dV/dtに耐久性がある+600Vに完全に機能したブートストラップ操作のために設計しました

•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲

•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖

•互換性がある3.3V、5Vおよび15V入力論理

•交差伝導の防止の論理

•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延

•入力のとの段階の高い側面の出力

•ひかれる論理および力+/- 5Vオフセット。

•5usまで内部540ns死時間およびプログラム可能

を使って1つの外的なRDTの抵抗器（IR21094）

•よりよいノイズ耐性のためのdi/dtのゲートの運転者を下げて下さい

•入力を消します両方のチャネルを締めて下さい。

記述

  IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOSの技術は高耐久化された単一構造を可能にします。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性があります。出力運転者は最高最低の運転者IR21094 IR2109のパッケージIR 2109(4)の（S）データ用紙いいえPD60163-P VOFFSET 600Vのために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にします。VOUT IO+/- 120 mA/250 mAの10 - （typ。） 750及び200 nsの不感時間540を離れた20Vトン/ns （IR21094のための5uSまでプログラム可能な）プロダクト概略www.irf.com 1 VCC VB対HO DT VSS SD VCC SD VSS RDT 8の鉛PDIP 14の鉛PDIP 8の鉛SOIC 14の鉛SOICの交差伝導でVCC VBに対HO LO COM荷を積むために600VまででVCCに荷を積む600VまでののSD SDのCOM LO。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のNチャネル力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができます。

鉛定義

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