位相制御 電界効果トランジスタ 力モジュール IC Netz のサイリスタのダイオード モジュール
型式番号:TT425N12KOF
原産地:中国
最低順序量:2本
支払の言葉:T / T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力:300PCS
受渡し時間:標準的な提供
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Shenzhen Guangdong China
住所：
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
位相制御Mosfet力モジュールIC Netzのサイリスタのダイオード モジュール
モジュールIC TT425N12KOFのpowerblock
Elektrische Eigenschaften/電気特性
Höchstzulässige Werte/最高の評価される価値
| Periodische Vorwärts-のundのRckwärts-Spitzensperrspannungの反復的なピーク前方オフ状態および逆電圧 | Tvj = -40°C…最高Tvj | VDRM、VRRM | 1000 1400 1200 1600 1800 | V V V |
| Vorwärts-Stoßspitzensperrspannungの非反復ピーク前方オフ状態の電圧 | Tvj = -40°C…最高Tvj | VDSM | 1000 1400 1200 1600 1800 | V V V |
| Durchlaßstrom-Grenzeffektivwertの最高RMSオン州の流れ | Tvj =+25°C…最高Tvj | VRSM | ||
| Durchlaßstrom-Grenzeffektivwertの最高RMSオン州の流れ | ITRMSM | 800 | A | |
| 現在のDauergrenzstrom平均オン州TC = 85°C TC = 74°C ITAVM 425 510 A A | TC = 85°C TC = 74°C | 425 510 | A A | |
| Stoßstrom-Grenzwertのサージ電流 | Tvj = 25 °C TP = 10氏 最高Tvj = Tvj TP = 10氏 | ITSM | 14500 12500 | A A |
| Grenzlastintegral Iの²のt価値 | Tvj = 25 °C TP = 10氏 最高Tvj = Tvj TP = 10氏 | I ² t | ² s ² s | A A |
| オン州の流れの上昇のKritische Stromsteilheitの重大な率 | DIN IEC 747-6 f = 50のHzのiGM = 1 A、diG/dt = 1 A/µs | （dIT/dt） Cr | 120 | A/µs |
| オフ状態の電圧の上昇のKritische Spannungssteilheitの重大な率 | 最高Tvj = Tvj vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe/第6手紙F | （dvD/dt） Cr | 1000 | V/µs |
Elektrische Eigenschaften/電気特性
Charakteristische Werte/独特価値
| Freiwerdezeitの回路によって整流される回転時間 | 、iTM = ITAVMのvRM = 100ボルト最高のTvj = Tvj vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs、- diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe/第5手紙O | tq | typ 250 | µs |
| 分離Prfspannungの絶縁試験の電圧 | RMS、f = 50のHz、t = 1最低RMS、f = 50のHz、t = 1秒 | VISOL | 3.0 3.6 | Kv Kv |
Luftselbstkhlung/自然脱熱器Khlkörper/脱熱器タイプごとの1 ModulプロKhlkörper/1つのモジュールを冷却します:KM 17 （120W）
Verstärkte Khlungは/脱熱器Khlkörper/脱熱器タイプごとの1 ModulプロKhlkörper/1つのモジュールの冷却を強制しました:KM17 （Papst 4650N）
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位相制御 電界効果トランジスタ 力モジュール IC Netz のサイリスタのダイオード モジュール
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