IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET、超低4.5mΩ Rds(on)、TO-220パッケージ、ロジックレベルドライブ、アバランシェ定格、高速スイッチング、高効率、モーター制御および電源システム向け堅牢設計

IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET Ultra-Low 4.5mΩ Rds ((オン) TO-220 パッケージ ロジックレベルドライブ アヴァランス レーティング 急速 スイッチング 高効率 モーター制御と電力システムのための堅牢な設計

特徴

先進的なプロセス技術

PDP Sustain,エネルギー回収,パススイッチアプリケーションのために最適化されたキーパラメータ

PDP Sustain,エネルギー回収,パススイッチアプリケーションにおける電力消耗を減らす低EPULSE評価

低QGで迅速に対応する

高重複ピーク電流容量により信頼性の高い動作

短く転落し上昇する時間

175°C 動作交差点温度により強度が向上する

安定性と信頼性のための繰り返し雪崩の能力

D級オーディオアンプ300W-500W (半ブリッジ)

申請

1:モーター駆動と制御:

これは最も典型的な応用シナリオ.高電圧 (200V),非常に高い電流 (195A),超低電源抵抗 (4.5mΩ) は,高功率直流モーターの運転と制御に非常に効率的です.ブラッシュレスDCモーター (BLDC)工業自動化,ロボット工学,電気自動車 (例えばモーターコントローラー),ドローンESC (電子速度コントローラー) などで広く使用されています.

2:スイッチモード電源 (SMPS):
特に適した高出力DC-DC変換機低Rds ((オン) は導電損失を大幅に削減し,電源供給の全体的な効率を向上させる.

3電力インバーター:
太陽光発電のインバーター,UPS (不中断電源),周波数変換機,および溶接機のインバーターブリッジに理想的な選択であり,DC電力をAC電源に変換します.

4:高電流スイッチと負荷スイッチ:
固体リレー,電子負荷スイッチ,および高電力直流負荷の制御のための他のデバイスを構築するために使用できます.

記述

この HEXFET® パワー MOSFET は,プラズマディスプレイパネルにおけるSustain; Energy Recovery and Pass スイッチアプリケーション用に特別に設計されています.このMOSFETは,シリコン面積1個あたりの低電阻と低EPULsE評価を達成するために最新の処理技術を使用しています.このMOSFETの追加的な特徴は, 175°Cの動作交差点温度と高重複ピーク電流能力である.これらの特徴は,このMOSFETを非常に効率的な,PDP運転用アプリケーションのための堅牢で信頼性の高い装置.

情報

図面

利点は携帯電話,PDA,ノートPC

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