TPS73733DCQ 3.3V 1A 超低騒音 (30μVRMS) 高PSRR (75dB) と LDO 1% 正確さ 低脱出 (310mV) 活性化ピン 安定性 1μF セラミック電流/熱保護用 TO-263パッケージ

TPS73733DCQ 3.3V 1A 超低ノイズ (30andmu;VRMS) LDO、高PSRR (75dB) 1% 精度、低ドロップアウト (310mV)、イネーブルピン、1andmu;Fセラミックで安定、TO-263パッケージでの電流/熱保護

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特徴

andbull; 1andmu;F以上のセラミック出力コンデンサで安定

andbull; 入力電圧範囲: 2.2V～5.5V

andbull; 超低ドロップアウト電圧 – レガシーシリコン: 1Aで130mV (標準) – 新シリコン: 1Aで122mV (標準)

andbull; 優れた負荷過渡応答 – わずか1andmu;Fの出力コンデンサでも

andbull; NMOSトポロジーにより、低逆リーク電流を実現

andbull; 初期精度: 1%

andbull; ライン、負荷、温度に対する全体的な精度 – レガシーシリコン: 3% – 新シリコン: 1.5%

andbull; シャットダウンモードでの標準IQは20nA未満

andbull; 故障保護のための熱シャットダウンと電流制限

andbull; 複数の出力電圧バージョンで利用可能: – 調整可能な出力: 1.20V～5.5V – 工場パッケージレベルのプログラミングを使用してカスタム出力が可能

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アプリケーション

andbull; DSP、FPGA、マイクロプロセッサのポイントオブロードレギュレーション

andbull; スイッチング電源のポストレギュレーション

andbull; ポータブルおよびバッテリー駆動機器

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説明

TPS737リニア低ドロップアウト (LDO) 電圧レギュレータは、電圧フォロワ構成でNMOSパストランジスタを使用しています。このトポロジーは、出力コンデンサの値とESRの影響を比較的受けにくく、さまざまな負荷構成に対応できます。負荷過渡応答は、小さな1andmu;Fセラミック出力コンデンサでも優れています。NMOSトポロジーは、非常に低いドロップアウトも可能にします。

TPS737は、高度なBiCMOSプロセスを使用して高精度を実現し、非常に低いドロップアウト電圧と低いグランドピン電流を実現しています。最新の製造フローを使用するデバイスは、最新のTIプロセス技術を使用した新しいシリコンで設計が更新されています。イネーブルされていないときの消費電流は20nA未満であり、ポータブルアプリケーション向けに設計されています。このデバイスは、熱シャットダウンとフォールドバック電流制限によって保護されています。

より高い出力電圧精度が必要なアプリケーションには、TIのTPS7A37 1% 全体精度、1A低ドロップアウト電圧レギュレータを検討してください。

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情報

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図面

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製品リスト
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提供内容:
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強力なブランド:
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDKなど

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