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AON7534 30V NチャネルMOSFET 10.5mandOmega; Rds(on) 60A連続 DFN5x6-8L -55anddeg;C~+175anddeg;C AEC-Q101
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概要
andbull; トレンチパワーMOSFET技術
andbull; 4.5VGSでの非常に低いRDS(on)
andbull; 低ゲート電荷
andbull; 高電流容量
andbull; RoHSおよびハロゲンフリー準拠
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アプリケーション
andbull; コンピューティング、サーバー、POLのDC/DCコンバーター
andbull; 通信および産業用の絶縁DC/DCコンバーター
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特徴
高効率電力スイッチング
andnbsp; 30Vドレイン-ソース電圧:12V/24V電源システムに最適
andnbsp; 60A連続電流(100Aパルス):高電力負荷駆動をサポート
超低導通損失
andnbsp; Rds(on)= 10.5m2 (Vgs=10V):電力損失を最小限に抑え、効率を向上
高周波スイッチングの最適化
andnbsp; 低ゲート電荷(Qg=38nC):高周波PWM制御(最大1MHz)を可能にする
andnbsp; 高速スイッチング:立ち上がり/立ち下がり時間<20ns
信頼性と保護
andnbsp; 100%アバランシェテスト済み:極端な条件下での安定性を確保
AEC-Q101認証:車載グレードの信頼性基準に適合
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最高の電力密度:DFN5x6-8LパッケージはTO-220より80%小さい
優れた効率:15mQ MOSFETと比較して30%低い導通損失
広い温度範囲:-55℃~+175℃の過酷な環境に対応
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情報
カテゴリ | andnbsp; | |
メーカー | andnbsp; | |
シリーズ | - | andnbsp; |
パッケージング | テープ&リール(TR) カットテープ(CT) Digi-Reelandreg; | andnbsp; andnbsp; andnbsp; |
ステータス | 新規設計には不向き | andnbsp; |
FETタイプ | andnbsp; | |
テクノロジー | andnbsp; | |
ドレイン-ソース間電圧(Vdss) | 30 V | andnbsp; |
電流 - 連続ドレイン(Id)@ 25anddeg;C | andnbsp; | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V、10V | andnbsp; |
Rdsオン(最大)@ Id、Vgs | 5mOhm @ 20A、10V | andnbsp; |
Vgs(th)(最大)@ Id | 2.2V @ 250andmicro;A | andnbsp; |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 22 nC @ 10 V | andnbsp; |
Vgs(最大) | andplusmn;20V | andnbsp; |
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds | 1037 pF @ 15 V | andnbsp; |
FET機能 | - | andnbsp; |
消費電力(最大) | 3W(Ta)、23W(Tc) | andnbsp; |
動作温度 | -55anddeg;C ~ 150anddeg;C(TJ) | andnbsp; |
グレード | - | andnbsp; |
認定 | - | andnbsp; |
実装タイプ | 表面実装 | andnbsp; |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN-EP(3x3) | andnbsp; |
パッケージ/ケース | andnbsp; | |
基本製品番号 |
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図面
当社の利点:
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あらゆる種類のコンポーネントに対するお客様のニーズを満たすことを確認してください。^_^
製品リスト
一連の電子部品、半導体、アクティブおよびパッシブコンポーネントの全範囲を提供します。PCBのBOMをすべて入手できます。つまり、ここでワンストップソリューションを入手できます。
提供内容:
集積回路、メモリIC、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、バリスタ、ヒューズ、トリマー&ポテンショメータ、トランス、バッテリー、ケーブル、リレー、スイッチ、コネクタ、端子台、水晶発振器、インダクタ、センサー、トランス、IGBTドライバ、LED、LCD、コンバータ、PCB(プリント基板)、PCBA(PCBアセンブリ)
強力なブランド:
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDKなど