S25FL256SAGNFI010 256Mb (32MB) シリアル NOR フラッシュ 104MHz SPI 100K 消去/プログラム サイクル 20 年間のデータ保存 2.7-3.6V WSON-8 -40°C から +85°C 自動車グレード

型番:S25FL256SAGNFI010
産地:中国
最小注文数量:1
支払条件:T/T ウェスタンユニオン
供給能力:月1000個
配達時間:支払いの受信後3~5営業日
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製品詳細

S25FL256SAGNFI010

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特徴

andbull; 多用途I/Oを備えたCMOS 3.0Vコア

andbull; マルチI/O SPIを備えたシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)- SPIクロック極性と位相モード0および3- DDRオプション- 拡張アドレッシング:24ビットまたは32ビットのアドレスオプション- S25FL-A、S25FL-K、およびS25FL-P SPIファミリと互換性のあるシリアルコマンドセットとフットプリント- S25FL-P SPIファミリと互換性のあるマルチI/Oコマンドセットとフットプリント

andbull;読み取りコマンド- ノーマル、高速、デュアル、クワッド、高速DDR、デュアルDDR、クワッドDDR- AutoBoot andndash; 電源投入またはリセットし、事前に選択されたアドレスでノーマルまたはクワッド読み取りコマンドを自動的に実行- 設定情報用の共通フラッシュインターフェース(CFI)データ

andbull; プログラミング(1.5 MBps)- 256バイトまたは512バイトのページプログラミングバッファオプション- 低速クロックシステム用のクワッド入力ページプログラミング(QPP)- シングルビットエラー訂正による自動ECC-内部ハードウェアエラー訂正コード生成

andbull; 消去(0.5〜0.65 MBps)- ハイブリッドセクターサイズオプションandndash; アドレス空間の上部または下部に32個の4 KBセクターの物理セットがあり、残りのすべてのセクターは64 KBで、前世代のS25FLデバイスとの互換性があります- 均一セクターオプションandndash; 常に256 KBブロックを消去して、高密度および将来のデバイスとのソフトウェア互換性を実現

andbull; サイクル耐久性- 100,000回のプログラム/消去サイクル、最小

andbull; データ保持- 20年間のデータ保持、最小

andbull; セキュリティ機能- 1024バイトのワンタイムプログラマブル(OTP)アレイ- ブロック保護

andbull; 連続したセクターのプログラムまたは消去に対する保護を制御するステータスレジスタビット

andbull; ハードウェアおよびソフトウェア制御オプション- 高度なセクター保護(ASP)

andbull; ブートコードまたはパスワードによって制御される個々のセクター保護

andbull; Eclipseアーキテクチャを備えた65 nm MIRRORBITandtrade;テクノロジー

andbull; コア供給電圧:2.7 V〜3.6 V

andbull; I/O供給電圧:1.65 V〜3.6 V - SO16およびFBGAパッケージ

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温度範囲/グレード:

- 産業用(40anddeg;C〜+85anddeg;C)

- 産業用プラス(40anddeg;C〜+105anddeg;C)

- 車載AEC-Q100グレード3(40anddeg;C〜+85anddeg;C)

- 車載AEC-Q100グレード2(40anddeg;C〜+105anddeg;C)

- 車載AEC-Q100グレード1(40anddeg;C〜+125anddeg;C)

パッケージ(すべてPbフリー)

- 16リードSOIC(10.30 andtimes; 7.50 andtimes; 2.65 mm)(300 mil)

- 8リードDFN(6.0 andtimes; 8.0 andtimes; 0.8 mm)(WSON)

- 24ボールFBGA(8.0 andtimes; 6.0 andtimes; 1.2 mm)

andnbsp; andnbsp;andbull; 5 andtimes; 5ボール(FAB024)および4 andtimes; 6ボール(FAC024)フットプリントオプション

andnbsp; andnbsp;andbull; 良好なダイ(KGD)およびテスト済みのダイ

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情報

カテゴリ
Mfr
シリーズ
パッケージング
トレイ
部品ステータス
アクティブ
DigiKeyプログラマブル
未検証
メモリタイプ
不揮発性
メモリフォーマット
テクノロジー
FLASH - NOR
メモリサイズ
メモリ構成
32M x 8
メモリインターフェース
SPI - クワッドI/O
クロック周波数
133 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
電圧 - 供給
2.7V〜3.6V
動作温度
-40anddeg;C〜85anddeg;C(TA)
取り付けタイプ
表面実装
パッケージ/ケース
サプライヤデバイスパッケージ
8-WSON(6x8)
基本製品番号

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図面

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製品リスト
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