FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14回の書き換え可能回数 151年のデータ保持 無遅延書き込み 3.6V最大、SOIC-8 -40°C～85°C

FM24CL64B-GTR

特徴

• 64-Kbit強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM）は、8K × 8として論理的に構成されています

• 高耐久性100兆（1014）回の読み書き

• 151年間のデータ保持（10ページのデータ保持と耐久性を参照）

• NoDelay™書き込み

• 高度な高信頼性強誘電体プロセス

• 高速2線シリアルインターフェース（I2C）

• 最大1MHzの周波数

• シリアル（I2C）EEPROMの直接ハードウェア交換

• 100 kHzおよび400 kHzのレガシータイミングをサポート

• 低消費電力

• 100 A（typ）アクティブ電流（100 kHz時）• 3 A（typ）スタンバイ電流

• 電圧動作：VDD = 2.7 V～3.65 V

• 産業用温度：–40 C～+85 C

• パッケージ

• 8ピン小型アウトライン集積回路（SOIC）パッケージ

• 8ピン薄型デュアルフラットノーリード（DFN）パッケージ

• 有害物質規制（RoHS）準拠

機能説明

FM24CL64Bは、高度な強誘電体プロセスを採用した64-Kbit不揮発性メモリです。強誘電体ランダムアクセスメモリまたはF-RAMは不揮発性であり、RAMと同様の読み書きを行います。EEPROMやその他の不揮発性メモリによって引き起こされる複雑さ、オーバーヘッド、およびシステムレベルの信頼性の問題を排除しながら、151年間信頼性の高いデータ保持を提供します。

EEPROMとは異なり、FM24CL64Bはバス速度で書き込み操作を実行します。書き込み遅延は発生しません。各バイトがデバイスに正常に転送された直後に、データがメモリ配列に書き込まれます。次のバスサイクルは、データポーリングを必要とせずに開始できます。さらに、この製品は、他の不揮発性メモリと比較して、大幅な書き込み耐久性を提供します。また、F-RAMは、書き込み回路に内部的に高い電源電圧を必要としないため、EEPROMよりも書き込み中の消費電力がはるかに少なくなります。FM24CL64Bは、1014回の読み書きサイクル、つまりEEPROMよりも1億倍多くの書き込みサイクルをサポートできます。

これらの機能により、FM24CL64Bは、頻繁または高速な書き込みを必要とする不揮発性メモリアプリケーションに最適です。例としては、書き込みサイクル数が重要になる可能性のあるデータロギングから、EEPROMの長い書き込み時間がデータ損失を引き起こす可能性のある要求の厳しい産業用制御まであります。これらの機能の組み合わせにより、システムのオーバーヘッドを削減しながら、より頻繁なデータ書き込みが可能になります。

情報

図面

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