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製品名:競争価格の高い信頼性650nmの赤い半導体レーザー
MQW 650nm FP LD
低い境界の流れ
高出力力
作り付けのInGaAsPのモニターPD
絶対最高評価
変数 | 記号 | 価値 | 単位 |
LDは流れを進めます | IF(LD) | 100 | mA |
LDの逆電圧 | VR(LD) | 2 | V |
PDは流れを進めます | IF(PD) | 2 | mA |
PDはvoltagを逆転させます | VR(PD) | 30 | V |
実用温度 | 操作T | -10 | +65 | °C |
保管温度 | TST | -40 | +85 | °C |
はんだ付けする温度/時間 | - | 240/10 | °C/S |
光学及び電気特徴
変数 | 記号 | テスト条件 | 最少。 | Typ。 | 最高。 | 単位 |
出力電力 | ふくれっ面 | CW、24mA | 0.2 | 1.0 | 2.0 | MW |
CW、70mA | - | 10.0 | 12.0 | MW | ||
中心の波長 | λc | CW | 640 | 650 | 660 | nm |
630 | 635 | 640 | nm | |||
分光幅 | Δλ | CW、Ith+15mA | - | - | 5 | nm |
境界の流れ | Ith | 650nm、25°C | 15 | 20 | 45 | mA |
操作電圧 | Vop | CW、Ith+15mA | - | 2.15 | 2.5 | V |
流れを監視して下さい | Im | CW、Ith+15mA | 0.05 | - | 0.5 | mA |