C- シリーズ半分橋IGBTモジュール、1200V 450Aは風力IGBTモジュールFF450R12KT4の二倍になります

型式番号:FF450R12KT4
原産地:中国
最低順序量:1 セット
支払の言葉:T/T
供給の能力:1000sets
受渡し時間:契約に署名した後 25 日
企業との接触

Add to Cart

確認済みサプライヤー
Shenzhen Guangdong China
住所: 27 P、ブロック B Duhui 100、Zhonghang 道路、福田地区、深セン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 9 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

半橋62mm Cシリーズ1200ボルトの450のA二重IGBTモジュールFF450R12KT4の風力


典型的な適用

•高い発電のコンバーター

•モーター ドライブ

•UPSシステム

•風力


電気特徴

•操作延長操作の温度Tvj

•低い切換えの損失

•低いVCEsat

•打ち負かされない強さ

•肯定的な温度係数のVCEsat


機械特徴

•絶縁材4つのkVのAC 1min

•パッケージとのCTI > 400

•高い表面漏れおよび整理の間隔

•高い発電密度

•隔離された支承板

•標準的なハウジング


IGBTのインバーター

最高の評価される価値

コレクター エミッターの電圧Tvj = 25°CVCES1200V
連続的なDCのコレクター流れ

TC = 100°C、

最高Tvj = 175°C
TC = 25°C、

最高Tvj = 175°C

ICのnom
IC

450

580

A

A

反復的なピーク コレクター流れTP = 1人の氏ICRM900A
全体の電力損失

TC = 25°C、

最高Tvj = 175°C

Ptot2400W
ゲート エミッターのピーク電圧VGES+/-20V

独特価値

コレクター エミッターの飽和電圧IC = 450 A、VGE = 15ボルトTvj = 25°C
IC = 450 A、VGE = 15ボルトTvj = 125°C
IC = 450 A、VGE = 15ボルトTvj = 150°C
坐るVCE1,75
2,05
2,10
2,15V
VV
ゲートの境界の電圧IC = 17,0 mA、VCE = VGE、Tvj = 25°CVGEth5,25,86,4V
ゲート充満VGE = -15ボルト… +15ボルトQG3,60µC
内部ゲートの抵抗器Tvj = 25°CRGint1,9
入力キャパシタンスf = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルトCies28,0nF
逆の移動キャパシタンスf = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルトツレス島1,10nF
コレクター エミッターの締切りの流れVCE = 1200ボルト、VGE = 0ボルト、Tvj = 25°C凍ります5,0mA
ゲート エミッターの漏出流れVCE = 0ボルト、VGE = 20ボルト、Tvj = 25°CIGES400nA
遅れ時間回転、誘導負荷IC = 450 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
td0,16 0,17
0,18
µs
µs
µs
上昇時間、誘導負荷IC = 450 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
tr0,045 0,04
0,05
µs
µs
µs
回転遅れ時間、誘導負荷IC = 450 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
td0,45 0,52
0,54
µs
µs
µs
落下時間、誘導負荷IC = 450 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
tf0,10 0,16
0,18
µs
µs
µs
脈拍ごとのエネルギー損失回転IC = 450 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V、di/dt = 9000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
永劫19,0
30,0
36,0
19,0
30,0
36,0
脈拍ごとの回転エネルギー損失IC = 450 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V、du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
Eoff26,0
40,0
43,0
mJ
mJ
mJ
SCデータVGEの≤ 15 V、VCCの= 800ボルト
VCEmax = VCES - LsCE·di/dt TPの≤ 10のµs、Tvj = 150°C
ISC1800A
熱抵抗、場合への接続点IGBTごとのIGBT/RthJC0,062K/W
熱抵抗、caseto脱熱器IGBTごとの各IGBT/
λPaste = 1との(m·K)/λgrease = 1との(m·K)
RthCH0,03K/W
切換えの条件の下の温度操作Tvj-40150°C

China C- シリーズ半分橋IGBTモジュール、1200V 450Aは風力IGBTモジュールFF450R12KT4の二倍になります supplier

C- シリーズ半分橋IGBTモジュール、1200V 450Aは風力IGBTモジュールFF450R12KT4の二倍になります

お問い合わせカート 0