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製品の説明:
GS-AB-SのGaNベースの紫外線フォトダイオード
特徴:
広いバンドUVA+UVB+UVCフォトダイオード
光起電モード操作
ハウジングに46metal
よい目に見える盲目
高い応答性および低い暗電流
紫外線索引の監視、紫外線放射線量の測定、炎の検出
指定
変数 | 記号 | 価値 | 単位 |
最高の評価 | |||
操作の温度較差 | Topt | -25-85 | oc |
保管温度の範囲 | Tsto | -40-85 | oc |
はんだ付けする温度(3 s) | Tsol | 260 | oc |
逆電圧 | Vr最高 | -10 | V |
一般特性(25 oc) | |||
破片のサイズ | 1 | mm2 | |
暗電流(Vr = -1 V) | ID | <1> | nA |
温度係数(@265 nm) | Tc | 0.05 | oc %の |
キャパシタンス(0ボルトおよび1つのMHzで) | CP | 18 | pF |
スペクトル反応の特徴(25 oc) | |||
ピーク応答性の波長 | λ p | 355 | nm |
ピーク応答性 (355 nmで) | Rmax | 0.20 | A/W |
スペクトル反応の範囲(R=0.1×Rmax) | - | 210-370 | nm |
紫外線目に見える除去率(Rmax/R400 nm) | - | >104 | - |
指定:
指定 | 変数 |
ピーク波長 | 355NM |
軽い感受性 | 0.20A/W |
上昇時間 | 3US |
テスト条件 | 典型的な価値、Ta=25° |