
Add to Cart
クォーツ装置 溶融クォーツ半導体 ワイファーキャリア 超薄
製品の特徴:
清潔できれい
均質性が高い
高温耐性
高度な光伝達力
反化学攻撃
作業温度:
通常の作業温度: 1000°C
短期間の作業温度:1100°C
瞬間の最大作業温度:1300°C
メカニカルプロパティ:
メカニカルプロパティ | 基準値 | メカニカルプロパティ | 基準値 |
密度 | 2.203g/cm3 | 屈折指数 | 1.45845 |
圧縮力 | >1100Mpa | 熱膨張係数 | 5.5×10−7cm/cm°C |
折りたたみの強さ | 67Mpa | 熱作業温度 | 1750~2050°C |
張力強度 | 48.3Mpa | 短時間間の温度 | 1300°C |
ポイスン比 | 0.14~0.17 | 温度が長時間 | 1100°C |
エラスティックモジュール | 71700Mpa | 耐性 | 7×107Ω.cm |
シェーリング・モジュール | 31000Mpa | 介電力強度 | 250~400Kv/cm |
蝶の硬さ | 5.3~6.5(蝶のスケール) | ダイレクトリ常数 | 3.7~3.9 |
変形点 | 1280°C | ダイレクトリ吸收係数 | <4×104 |
特定熱量 20~350°C) | 670J/kg°C | ダイレクトリック損失係数 | <1×104 |
熱伝導性 20°C) | 1.4W/m°C |